露光パターンの補正方法および露光パターンの補正装置および露光マスクおよび露光方法並びに半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：船橋國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996286213
Publication number (International publication number)：1998133358
Application date： Oct. 29, 1996
Publication date： May. 22, 1998
Summary：

【要約】【課題】図形数を増加せず高精度に露光パターンの補正を行うこと。【解決手段】本発明は、リソグラフィー工程において、所望の設計パターンPに近い転写イメージが得られるように露光パターンを変形させる方法であり、所望の設計パターンPの外形線を所定のルールに基づいて分割し、分割された各エッジEに対して複数個の評価点Hを付加する工程と、露光パターンの露光後のイメージをシミュレーションによって算出し、各エッジEの各評価点Hと露光後のイメージの各評価点Hと対応する位置との距離を各々算出する工程と、距離を所定の評価関数に入力し、評価関数の出力値に基づき各エッジEの位置を補正して、補正後の露光パターンを決定する工程とから成る。

Claim (excerpt)：

リソグラフィー工程において、所望の設計パターンに近い転写イメージが得られるように露光パターンを変形させる露光パターンの補正方法であって、前記所望の設計パターンの外形線を所定のルールに基づいて分割し、分割された各辺に対して複数個の評価点を付加する工程と、前記露光パターンの露光後のイメージをシミュレーションによって算出し、前記各辺の各評価点と該露光後のイメージの該各評価点と対応する位置との距離を各々算出する工程と、前記距離を所定の評価関数に入力し、該評価関数の出力値に基づき前記各辺の位置を補正して、補正後の露光パターンを決定する工程とを備えていることを特徴とする露光パターンの補正方法。

IPC (2)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (3)：

G03F 1/08 T , H01L 21/30 502 W , H01L 21/30 502 P

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

特開平4-179952
走行制御装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-206668 Applicant：株式会社豊田自動織機製作所
露光方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-149278 Applicant：株式会社ニコン

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Cited by examiner (9)

露光方法及び露光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-285043 Applicant：ソニー株式会社
特開平4-179952
マスクパターンの補正方法および補正装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-053053 Applicant：ソニー株式会社

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