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J-GLOBAL ID：200903036060053111

無機膜およびその製造方法並びに半導体デバイス

Inventor： 南宮 麻紀 ,  梅田 賢一 ,  田中 淳 ,  東 耕平
Applicant, Patent owner： 富士フイルム株式会社
Agent (3)： 柳田 征史 ,  佐久間 剛 ,  渋谷 淑子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008096030
Publication number (International publication number)：2009252821
Application date： Apr. 02, 2008
Publication date： Oct. 29, 2009
Summary：

【課題】トランジスタ駆動に適した比抵抗をもつ良質な無機膜を提供する。【解決手段】一般式NaMbQcOd(式中NはZnまたはMg、MはTi、WまたはMo、QはInまたはFeであり、a,b,c,dは正の実数である)で表される無機膜を、Nの酸化物、アルコキシドまたは有機金属化合物の少なくとも1つと、Mの酸化物、アルコキシドまたは有機金属化合物の少なくとも1つと、Qの酸化物、アルコキシドまたは有機金属化合物の少なくとも1つと、有機溶媒と、を含む原料液を基板上に塗布成膜し、加熱処理により製造する。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

一般式NaMbQcOd(式中NはZnまたはMg、MはTi、WまたはMo、QはInまたはFeであり、a,b,c,dは正の実数である)で表されることを特徴とする無機膜。

IPC (8)：

H01L 29/24 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  C01G 23/00 ,  C01G 41/00 ,  C01G 39/00 ,  H01L 29/26

FI (8)：

H01L29/24 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627G ,  H01L21/20 ,  C01G23/00 C ,  C01G41/00 A ,  C01G39/00 Z ,  H01L29/26

F-Term (79)：

4G047CA05 ,  4G047CB06 ,  4G047CC03 ,  4G047CD02 ,  4G048AA03 ,  4G048AB02 ,  4G048AC08 ,  4G048AD02 ,  4G048AE05 ,  4G048AE08 ,  5F110AA06 ,  5F110AA09 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF29 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK14 ,  5F110PP03 ,  5F110PP31 ,  5F152BB03 ,  5F152CC02 ,  5F152CC03 ,  5F152CC04 ,  5F152CC06 ,  5F152CC09 ,  5F152CD08 ,  5F152CD09 ,  5F152CD10 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD15 ,  5F152CD16 ,  5F152CD17 ,  5F152CD24 ,  5F152CE01 ,  5F152CE08 ,  5F152CE18 ,  5F152CE24 ,  5F152DD06 ,  5F152FF03 ,  5F152FF06 ,  5F152FF09 ,  5F152FF43 ,  5F152FF45 ,  5F152FG01 ,  5F152FG04 ,  5F152FG18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

• 金属アルコキシド溶液、それを用いた半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-222245   Applicant：富士フイルムホールディングス株式会社
• 非晶質透明導電膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-095568   Applicant：旭硝子株式会社
• 酸化物焼結体、その製造方法、酸化物透明導電膜の製造方法、および酸化物透明導電膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-070322   Applicant：住友金属鉱山株式会社
• 透明導電膜用ターゲットおよび透明導電ガラスならびに透明導電フィルム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-251200   Applicant：出光興産株式会社
• 透明導電積層体およびこれを用いたタッチパネル
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-268788   Applicant：出光興産株式会社
• 透明導電積層体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-313386   Applicant：出光興産株式会社
• 導電性積層体およびプラズマディスプレイ用保護板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-213747   Applicant：旭硝子株式会社

Cited by examiner (7)

• 非晶質透明導電膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-095568   Applicant：旭硝子株式会社
• 酸化物焼結体、その製造方法、酸化物透明導電膜の製造方法、および酸化物透明導電膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-070322   Applicant：住友金属鉱山株式会社
• 透明導電膜用ターゲットおよび透明導電ガラスならびに透明導電フィルム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-251200   Applicant：出光興産株式会社
• 透明導電積層体およびこれを用いたタッチパネル
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-268788   Applicant：出光興産株式会社
• 透明導電積層体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-313386   Applicant：出光興産株式会社
• 導電性積層体およびプラズマディスプレイ用保護板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-213747   Applicant：旭硝子株式会社
• 金属アルコキシド溶液、それを用いた半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-222245   Applicant：富士フイルムホールディングス株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• "New Compounds In3Ti2AO10, In6Ti6BO22, and Their Solid Solutions(A: Al, Cr, Mn, Fe, or Ga; B: Mg, Mn

Cited by examiner (1)

• "New Compounds In3Ti2AO10, In6Ti6BO22, and Their Solid Solutions(A: Al, Cr, Mn, Fe, or Ga; B: Mg, Mn