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J-GLOBAL ID：200903036149651098

エピタキシャルシリコン半導体基板とその製造方法

Inventor：
宮崎 澄夫

About 宮崎 澄夫


Applicant, Patent owner：
住友シチックス株式会社

About 住友シチックス株式会社


Agent (1)： 押田 良久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997247657
Publication number (International publication number)：1999074276
Application date： Aug. 27, 1997
Publication date： Mar. 16, 1999
Summary：
【要約】【課題】 シリコン中での拡散係数の大小にかかわらず、全ての重金属不純物のゲッタリング能力を向上させたエピタキシャルシリコン半導体基板の提供。【解決手段】 シリコン半導体基板1を鏡面研磨後、基板表面よりイオン注入を行い基板表面近傍に転位・歪み層2を形成し、その後基板表面にシリコンエピタキシャル層3をエピタキシャル成長、成膜することにより、デバイスプロセスで使用される表面より数μm程度の領域においては何ら悪影響がなく、シリコン中での拡散係数の大きい重金属元素、小さい重金属元素にかかわらずゲッタリングが可能である。
Claim (excerpt)：
基板表面近傍にイオン注入による転位・歪み層を有し、基板表面上に成膜したエピタキシャルシリコン層を有するエピタキシャルシリコン半導体基板。
IPC (2)：
H01L 21/322 ,  H01L 21/205
FI (2)：
H01L 21/322 J ,  H01L 21/205
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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