Pat

J-GLOBAL ID：200903036165887670

アモルファス酸化物及び電界効果型トランジスタ

Inventor： 板垣 奈穂 ,  ゴヤル アミタ ,  岩崎 達哉
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (15)： 岡部 正夫 ,  加藤 伸晃 ,  岡部 讓 ,  臼井 伸一 ,  藤野 育男 ,  越智 隆夫 ,  本宮 照久 ,  高梨 憲通 ,  朝日 伸光 ,  高橋 誠一郎 ,  吉澤 弘司 ,  松井 孝夫 ,  小林 恒夫 ,  齋藤 正巳 ,  三山 勝巳
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008001336
Publication number (International publication number)：2009164393
Application date： Jan. 08, 2008
Publication date： Jul. 23, 2009
Summary：

【課題】電界効果移動度やS値などのトランジスタ特性に優れ、かつ対環境安定性に優れたアモルファス酸化物及び電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】アモルファス酸化物であって、In、Zn及びSnのうち少なくとも一つの元素と、Moと、を少なくとも含み、前記アモルファス酸化物中の全金属原子数に対するMoの原子組成比率が0.1原子%以上5原子%以下であることを特徴とするアモルファス酸化物。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

アモルファス酸化物であって、 In、Zn及びSnのうち少なくとも一つの元素と、Moと、を少なくとも含み、前記アモルファス酸化物中の全金属原子数に対するMoの原子組成比率が0.1原子%以上5原子%以下であることを特徴とするアモルファス酸化物。

IPC (1)：

H01L 29/786

FI (1)：

H01L29/78 618B

F-Term (36)：

5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG15 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG33 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-264885   Applicant：科学技術振興事業団
• 非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-325366   Applicant：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学

Cited by examiner (1)

• 酸化物半導体材料及びその製造方法、電子デバイス及び電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-296984   Applicant：住友化学株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Transparent conductive In2O3:Mo thin films prepared by reactive direct current magnetron sputtering