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J-GLOBAL ID：200903036281150901

ポジ型レジスト組成物及び該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法

Inventor：
和田 健二

About 和田 健二


Applicant, Patent owner：
富士写真フイルム株式会社

About 富士写真フイルム株式会社


Agent (4)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005041927
Publication number (International publication number)：2006227359
Application date： Feb. 18, 2005
Publication date： Aug. 31, 2006
Summary：
【課題】IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用されるポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法及び該ポジ型レジスト組成物に使用される特定構造の含窒素化合物であり、パターン倒れ、パターンプロファイルに優れたポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法及び該ポジ型レジスト組成物に使用される特定構造の含窒素化合物を提供する。【解決手段】(A)特定構造の含窒素化合物、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物及び(C)酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂を含有するポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法及び該ポジ型レジスト組成物に使用される特定構造の含窒素化合物。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
(A)下記一般式(I)で表される化合物、 (B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物及び (C)酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂 を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (3)：
G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027
FI (3)：
G03F7/004 501 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
F-Term (13)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB15 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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