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J-GLOBAL ID：200903036293557896

光半導体装置

Inventor：
青柳 利隆

About 青柳 利隆


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (1)： 大岩 増雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995109731
Publication number (International publication number)：1996307014
Application date： May. 08, 1995
Publication date： Nov. 22, 1996
Summary：
【要約】【目的】 偏波無依存であり、さらに高利得である光半導体装置を得ることを目的とする。【構成】 活性層4には引張り歪量子井戸11と圧縮歪量子井戸12が備わっており、ここにキャリアが注入され、利得を生ずる。この場合、15の方向に伝搬する光に対しては引張り歪量子井戸11でTEおよびTM偏光両方に対して利得が発生するが、ある程度以上強い引張り歪にすると主としてTM偏光に対する利得が大きくなり、圧縮歪量子井戸12では主としてTE偏光に対して利得が大きくなる。そこで、引張り歪量子井戸11および圧縮歪量子井戸12それぞれの引張り歪量および圧縮歪量、層厚、組成、層数等を調整することにより、量子井戸全層において伝搬光のTE偏光/TM偏光成分に対して与えられる利得の比をほぼ1にすることができる。すなわち、偏波無依存とすることが可能である。
Claim (excerpt)：
活性層内に歪量の異なる少なくとも2層以上の量子井戸層を備え、これらの量子井戸層はほぼ同一の発光波長を有することを特徴とする光半導体装置。
IPC (3)：
H01S 3/18 ,  G02F 1/025 ,  H01L 31/10
FI (3)：
H01S 3/18 ,  G02F 1/025 ,  H01L 31/10 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (11)
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