Pat
J-GLOBAL ID:200903036340331370
発光素子
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002225268
Publication number (International publication number):2004071655
Application date: Aug. 01, 2002
Publication date: Mar. 04, 2004
Summary:
【課題】特にp電極を特定の構成とすることにより、発光素子における光の取り出し効率をさらに向上させ、寿命の長い発光素子を提供する。【解決手段】本発明の発光素子は、n型窒化物半導体とp型窒化物半導体を少なくとも有し、p型窒化物半導体の所定の一部にp電極を備える発光素子である。特に、p電極は、前記p型窒化物半導体に対して第2の部材よりも接触抵抗が低い第1の部材と、発光素子の光に対して第1の部材よりも反射率の高い第2の部材から少なくとも構成されており、第1の部材と前記第2の部材から選択される一方の部材は前記p型窒化物半導体が露出した開口部を有し、前記第1の部材と前記第2の部材から選択される他の部材は、少なくとも前記開口部内に充填されていることを特徴とする。【選択図】図1
Claim (excerpt):
n型窒化物半導体とp型窒化物半導体を少なくとも有し、前記p型窒化物半導体の所定の一部にp電極を備える発光素子において、
前記p電極は、前記p型窒化物半導体に対して第2の部材よりも接触抵抗が低い第1の部材と、前記発光素子の光に対して第1の部材よりも反射率の高い第2の部材から少なくとも構成され、
前記第1の部材と前記第2の部材から選択される一方の部材は、前記p型窒化物半導体が露出した開口部を有し、
前記第1の部材と前記第2の部材から選択される他の部材は、少なくとも前記開口部内に充填されていることを特徴とする発光素子。
IPC (2):
FI (3):
H01L33/00 E
, H01L33/00 C
, H01L21/28 301B
F-Term (16):
4M104AA04
, 4M104BB04
, 4M104BB05
, 4M104BB07
, 4M104BB08
, 4M104BB09
, 4M104CC01
, 4M104FF11
, 4M104GG04
, 4M104HH01
, 5F041AA03
, 5F041AA43
, 5F041CA04
, 5F041CA40
, 5F041CA83
, 5F041CA93
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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半導体発光素子とその製造方法、及び半導体発光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-200298
Applicant:株式会社東芝
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窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-267856
Applicant:日亜化学工業株式会社
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半導体発光ダイオード
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-329755
Applicant:昭和電工株式会社
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