極短波長の光を発生させるターゲット、そのターゲットを用いた光発生方法及びそのための装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：矢野正行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002197251
Publication number (International publication number)：2004037364
Application date： Jul. 05, 2002
Publication date： Feb. 05, 2004
Summary：

【課題】投入レーザー光エネルギーをあまり無駄にすることなく、放射変換効率の高いターゲット、クリーン度の高いターゲット、そのターゲットを用いた極短波長光発生方法及びそのための装置を提供することにある。【解決手段】一方の側にフロストを排出可能な排出口を有するホッパ4と、ホッパを極低温にするための冷凍機1と、ホッパの壁面を断続的に加熱しうるヒータ3と、ホッパの周囲を真空に保ち、一方の側に外部からのレーザー光を前記排出口付近に案内する第一の窓10、他方の側に極紫外光を取り出す第二の窓11が設けられた真空室7とを備えることを特徴とする、極短波長光の発生装置により、固体密度の1/100〜1/2の密度を有するフロストFをターゲットとして極短波長光を発生させる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

固体密度の1/100〜1/2の密度を有するフロストからなることを特徴とする、レーザー照射用ターゲット

IPC (4)：

G21K5/08 , G21K1/00 , G21K5/02 , H01L21/027

FI (4)：

G21K5/08 X , G21K1/00 X , G21K5/02 X , H01L21/30 531S

F-Term (1)：

5F046GC01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

レーザプラズマX線発生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-125427 Applicant：有限会社サイファー社
レーザプラズマX線発生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-176571 Applicant：株式会社帝国電機製作所, 有限会社サイファー社
X線発生用ターゲット
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-084301 Applicant：日本電信電話株式会社

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