半導体発光素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：河村洌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997059218
Publication number (International publication number)：1998256599
Application date： Mar. 13, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】 AlGaInP系化合物半導体により発光層が形成され、ウインドウ層としてGaPが用いられる半導体発光素子において、ウインドウ層の膜厚を薄くして半導体層の成長時間を短くすることができると共に、電流を充分に拡散させて発光効率を向上させることができる半導体発光素子を提供する。【解決手段】基板1と、該基板上にAlGaInP系化合物半導体からなりn形層およびp形層が積層され発光層を形成する発光層形成部11と、該発光層形成部の表面側に設けられるGaPからなるウインドウ層6と、該ウインドウ層に電気的に接続して設けられる電極8とを備える半導体発光素子であって、前記電極と前記ウインドウ層との間に該ウインドウ層の全面に亘って金属薄膜からなる電流拡散層7が設けられている。

Claim (excerpt)：

基板と、該基板上にAlGaInP系化合物半導体からなりn形層およびp形層が積層され発光層を形成する発光層形成部と、該発光層形成部の表面側に設けられるGaPからなるウインドウ層と、該ウインドウ層に電気的に接続して設けられる電極とを備える半導体発光素子であって、前記電極と前記ウインドウ層との間に該ウインドウ層の全面に亘って金属薄膜からなる電流拡散層が設けられてなる半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

AlGaInP系発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-216403 Applicant：信越半導体株式会社
特開昭56-081986
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-253171 Applicant：日亜化学工業株式会社

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