シリカ絶縁膜及び半導体装置とその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997150762
Publication number (International publication number)：1998340899
Application date： Jun. 09, 1997
Publication date： Dec. 22, 1998
Summary：

【要約】【課題】層間絶縁膜として用いるシリカ絶縁膜中にベンゼン核を添加することにより、低誘電率化を達成し、配線遅延を防止する。【解決手段】プラズマあるいはLPCVD法によるシリカ膜の堆積時に、フェニルトリメチルシランやトルエンなどのベンゼン核を有する有機物質を原料に添加することにより、シリカ膜にベンゼン核を含有させる。ベンゼン核含有量増加とともに比誘電率は低下し、炭素組成30at%でεr=3程度に達する。また、真空中等で加熱処理することで膜中のベンゼン核を除去して空孔とし、さらに低誘電率化することができる。これらのシリカ絶縁膜を層間絶縁膜に適用することにより、多層配線構造を有する半導体装置における配線遅延を低減し、高密度・高速化することが可能となる。

Claim (excerpt)：

シリコン及び酸素を主成分とするシリカ絶縁膜において、膜中にベンゼン核を含有することを特徴とするシリカ絶縁膜。

IPC (2)：

H01L 21/316 , H01L 21/768

FI (2)：

H01L 21/316 X , H01L 21/90 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

多層Al配線構造を有する半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-204527 Applicant：三菱電機株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-138860 Applicant：東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社
シリコーン樹脂組成物及びこれを用いたケイ酸ガラス薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-231004 Applicant：沖電気工業株式会社

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