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J-GLOBAL ID：200903036665301354

光起電力素子、太陽電池、及び光起電力素子の製造方法

Inventor： 宇佐美 徳隆 ,  中嶋 一雄 ,  宇治原 徹 ,  藤原 航三
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東北大学
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003298784
Publication number (International publication number)：2005072192
Application date： Aug. 22, 2003
Publication date： Mar. 17, 2005
Summary：

【課題】 広範囲の光スペクトルを利用し、高効率で起電力を生ぜしめることができる新規な光起電力素子を提供する。【解決手段】 p型半導体基板11を準備し、このp型半導体基板11と対向するようにしてn型半導体層12を形成する。次いで、p型半導体基板11及びn型半導体層12間に平面内に配列されるともに、厚さ方向に積層された複数の島状部13Aを有する真性層13を形成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

p型半導体部と、 前記p型半導体部と対向するようにして設けられたn型半導体部と、 前記p型半導体部及び前記n型半導体部間に設けられた島状構造の真性層と、 を具えることを特徴とする、光起電力素子。

IPC (2)：

H01L31/04 ,  H01L21/203

FI (2)：

H01L31/04 X ,  H01L21/203 M

F-Term (12)：

5F051AA02 ,  5F051CB02 ,  5F051CB29 ,  5F051CB30 ,  5F051DA04 ,  5F051DA13 ,  5F103AA04 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103LL04 ,  5F103RR05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 高効率シリコン-ゲルマニウム太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-374692   Applicant：ダイムラークライスラーアクチエンゲゼルシャフト
• 量子ドットの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-239194   Applicant：富士通株式会社
• 光半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-138557   Applicant：富士通株式会社