微細パタ-ンの転写加工方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：渡邉勇 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999122371
Publication number (International publication number)：2000039702
Application date： Apr. 28, 1999
Publication date： Feb. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】安価で大量生産が可能な、光の波長以下を含めた微細な凹凸パターンを被転写体に形成できる微細パターンの転写加工方法を提供する。【解決手段】微細な凹凸パターン12を備えた転写体11を準備し、被転写体13に半固体材料15を塗布し、転写体11の凹凸パターン12を半固体材料15に加圧して密着させることにより、該半固体材料に凹凸パターン15aを転写し、エネルギービームを該半固体材料の凹凸パターン15aに照射することにより、被転写体13に半固体材料の凹凸パターンに沿った凹凸パターン13aを転写する。

Claim (excerpt)：

微細な凹凸パターンを備えた転写体を準備し、被転写体に半固体材料を塗布し、前記転写体の凹凸パターンを前記半固体材料に密着して加圧することにより、該半固体材料に前記凹凸パターンを転写し、エネルギービームを該半固体材料の凹凸パターンに照射することにより、前記被転写体に前記半固体材料の凹凸パターンに沿った凹凸パターンを転写することを特徴とする微細パターンの転写加工方法。

IPC (5)：

G03F 1/08 , G03F 7/20 501 , G21K 5/02 , H01L 21/027 , H01L 21/302

FI (6)：

G03F 1/08 Z , G03F 7/20 501 , G21K 5/02 Z , H01L 21/30 502 D , H01L 21/30 502 P , H01L 21/302 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

薄膜パターン製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-270458 Applicant：株式会社日立製作所
特開平2-070412
特開平2-070412

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