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J-GLOBAL ID:200903036721417549
微細パタ-ンの転写加工方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (1):
渡邉 勇 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999122371
Publication number (International publication number):2000039702
Application date: Apr. 28, 1999
Publication date: Feb. 08, 2000
Summary:
【要約】【課題】 安価で大量生産が可能な、光の波長以下を含めた微細な凹凸パターンを被転写体に形成できる微細パターンの転写加工方法を提供する。【解決手段】 微細な凹凸パターン12を備えた転写体11を準備し、被転写体13に半固体材料15を塗布し、転写体11の凹凸パターン12を半固体材料15に加圧して密着させることにより、該半固体材料に凹凸パターン15aを転写し、エネルギービームを該半固体材料の凹凸パターン15aに照射することにより、被転写体13に半固体材料の凹凸パターンに沿った凹凸パターン13aを転写する。
Claim (excerpt):
微細な凹凸パターンを備えた転写体を準備し、被転写体に半固体材料を塗布し、前記転写体の凹凸パターンを前記半固体材料に密着して加圧することにより、該半固体材料に前記凹凸パターンを転写し、エネルギービームを該半固体材料の凹凸パターンに照射することにより、前記被転写体に前記半固体材料の凹凸パターンに沿った凹凸パターンを転写することを特徴とする微細パターンの転写加工方法。
IPC (5):
G03F 1/08
, G03F 7/20 501
, G21K 5/02
, H01L 21/027
, H01L 21/302
FI (6):
G03F 1/08 Z
, G03F 7/20 501
, G21K 5/02 Z
, H01L 21/30 502 D
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/302 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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薄膜パターン製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-270458
Applicant:株式会社日立製作所
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特開平2-070412
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超微細加工法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-043214
Applicant:株式会社荏原製作所
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特開昭60-024016
-
リソグラフィ方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-206087
Applicant:畑村洋太郎
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パターン転写加工方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-046629
Applicant:株式会社荏原製作所, 畑村洋太郎
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