パターン転写加工方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：渡邉勇 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996046629
Publication number (International publication number)：1997218517
Application date： Feb. 08, 1996
Publication date： Aug. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】レジスト塗布方法と微小物の加工方法という課題を解決して、三次元的な構造をもった自由な形状の微細構造物を加工する方法を提供する。【解決手段】被加工物21の表面上に遮蔽材を塗布した後に遮蔽材にパターンを形成し(22)、その後エネルギービーム照射を行うことにより、被加工物にパターンを転写加工する加工方法に於いて、遮蔽材をスプレー状に散布して、または刷毛により塗布して、または被加工物を液体である遮蔽材中に浸して、被加工物表面に塗布する。

Claim (excerpt)：

被加工物の表面上に遮蔽材を塗布した後に該遮蔽材にパターンを形成し、その後エネルギービーム照射を行うことにより、該被加工物に該パターンを転写加工する加工方法に於いて、遮蔽材をスプレー状に散布して被加工物表面に塗布することを特徴とするパターン転写加工方法。

IPC (4)：

G03F 7/16 , H01L 21/027 , H01S 3/18 , G21K 5/04

FI (5)：

G03F 7/16 , H01S 3/18 , G21K 5/04 M , H01L 21/30 541 S , H01L 21/30 564 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (22)

高速原子線を用いた加工方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-156811 Applicant：株式会社荏原製作所
特開昭63-012138
特開昭57-199223

i線照射によるレリーフ構造体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-124383 Applicant：チバ-ガイギーアクチエンゲゼルシャフト, オーシージーミクロエレクトロニクスインコーポレーテッド

特開平1-221751

金属窒化物単結晶薄膜育成法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-079325 Applicant：工業技術院長

微細パターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-025936 Applicant：日本電気株式会社

特開昭57-021890

特開昭60-222848

特開平3-215931

特許第3022948号

特許第3302860号

エネルギービームによる加工方法および加工装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-082077 Applicant：株式会社荏原製作所, 畑村洋太郎

エネルギービームによる処理方法および処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-082078 Applicant：株式会社荏原製作所, 畑村洋太郎

特開昭63-012138

特開昭57-199223