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J-GLOBAL ID:200903007600398962
パターン転写加工方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (1):
渡邉 勇 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996046629
Publication number (International publication number):1997218517
Application date: Feb. 08, 1996
Publication date: Aug. 19, 1997
Summary:
【要約】【課題】 レジスト塗布方法と微小物の加工方法という課題を解決して、三次元的な構造をもった自由な形状の微細構造物を加工する方法を提供する。【解決手段】 被加工物21の表面上に遮蔽材を塗布した後に遮蔽材にパターンを形成し(22)、その後エネルギービーム照射を行うことにより、被加工物にパターンを転写加工する加工方法に於いて、遮蔽材をスプレー状に散布して、または刷毛により塗布して、または被加工物を液体である遮蔽材中に浸して、被加工物表面に塗布する。
Claim (excerpt):
被加工物の表面上に遮蔽材を塗布した後に該遮蔽材にパターンを形成し、その後エネルギービーム照射を行うことにより、該被加工物に該パターンを転写加工する加工方法に於いて、遮蔽材をスプレー状に散布して被加工物表面に塗布することを特徴とするパターン転写加工方法。
IPC (4):
G03F 7/16
, H01L 21/027
, H01S 3/18
, G21K 5/04
FI (5):
G03F 7/16
, H01S 3/18
, G21K 5/04 M
, H01L 21/30 541 S
, H01L 21/30 564 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (14)
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高速原子線を用いた加工方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-156811
Applicant:株式会社荏原製作所
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特開昭63-012138
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特開昭57-199223
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i線照射によるレリーフ構造体の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-124383
Applicant:チバ-ガイギーアクチエンゲゼルシャフト, オーシージーミクロエレクトロニクスインコーポレーテッド
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特開平1-221751
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金属窒化物単結晶薄膜育成法および装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-079325
Applicant:工業技術院長
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微細パターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-025936
Applicant:日本電気株式会社
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特開昭57-021890
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特開昭60-222848
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特開平3-215931
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特許第3022948号
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特許第3302860号
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エネルギービームによる加工方法および加工装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-082077
Applicant:株式会社荏原製作所, 畑村洋太郎
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エネルギービームによる処理方法および処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-082078
Applicant:株式会社荏原製作所, 畑村洋太郎
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