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J-GLOBAL ID：200903036841026780

応力制御を伴う窒化シリコン膜

Inventor： イアー, アール., スリャナラヤナン ,  ラム, アンドリュー, エム. ,  前田 祐二 ,  メレ, トーマス ,  スミス, ジェイコブ, ダブリュー. ,  スーター, ショーン, エム. ,  タンドン, サンジーヴ ,  タカー, ランディア, ピー., シング ,  チルパプリユア, サンデアラジュ
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (2)： 長谷川 芳樹 ,  山田 行一
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2007520460
Publication number (International publication number)：2008506262
Application date： Jul. 05, 2005
Publication date： Feb. 28, 2008
Summary：

アセンブリは、互いに重ねて形成された窒化物エッチストップ層を有する多層窒化物スタックを備え、これら窒化物エッチストップ層の各々は、膜形成プロセスを使用して形成される。多層窒化物スタックを形成する方法は、単一ウエハ堆積チャンバに基板を配置し、堆積の直前に基板に熱的ショックを与えることを含む。第1の窒化物エッチストップ層が基板上に堆積される。第2の窒化物エッチストップ層が第1の窒化物エッチストップ層上に堆積される。【選択図】 図1B

Claim (excerpt)：

互いに重ねて形成された窒化物エッチストップ層を有する多層窒化物スタックを備え、上記窒化物エッチストップ層の各々は、膜形成処理を使用して形成されるアセンブリ。

IPC (5)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/318 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522

FI (6)：

H01L29/78 301N ,  H01L21/318 M ,  H01L21/318 B ,  H01L29/78 619A ,  H01L21/90 C ,  H01L21/90 K

F-Term (74)：

5F033GG01 ,  5F033GG03 ,  5F033KK01 ,  5F033KK25 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR06 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS03 ,  5F033WW02 ,  5F033WW05 ,  5F033XX19 ,  5F058BC08 ,  5F058BD01 ,  5F058BD02 ,  5F058BD10 ,  5F058BE01 ,  5F058BF04 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF27 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ04 ,  5F110AA07 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE09 ,  5F110EE31 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110HK05 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN24 ,  5F110NN39 ,  5F140AB03 ,  5F140AC28 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA05 ,  5F140BA13 ,  5F140BD02 ,  5F140BD05 ,  5F140BD09 ,  5F140BE08 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BG48 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK27 ,  5F140CC01 ,  5F140CC08 ,  5F140CC12 ,  5F140CC14 ,  5F140CC19 ,  5F140CE10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 半導体装置の製造方法および半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-411509   Applicant：株式会社ルネサステクノロジ, トレセンティテクノロジーズ株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-245444   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-249799   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-342667   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-139483   Applicant：ソニー株式会社