半導体装置の製造方法および半導体装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：筒井大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003411509
Publication number (International publication number)：2005175121
Application date： Dec. 10, 2003
Publication date： Jun. 30, 2005
Summary：

【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。【解決手段】半導体基板上にゲート絶縁膜および多結晶シリコンからなるゲート電極を形成し、イオン注入によりソース・ドレインとしての半導体領域を形成する。半導体基板上にゲート電極を覆うようにコバルト膜および窒化チタン膜を形成し、第1のアニール処理を行ってコバルト膜のCoとゲート電極および半導体領域のSiとを反応させてCoSi層を形成する。それから、第1のウェット洗浄処理を行って窒化チタン膜および未反応のコバルト膜を除去し、ゲート電極および半導体領域上にCoSi層を残存させる。そして、第2のアニール処理を行ってCoSi層をゲート電極および半導体領域と反応させてCoSi2層を形成する。その後、第2のウェット洗浄処理としてHPM洗浄処理を行ってから、半導体基板上にゲート電極を覆うように窒化シリコン膜を低圧CVD法により形成する。【選択図】図5

Claim (excerpt)：

以下の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法; (a)半導体基板を準備する工程、 (b)前記半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程、 (c)前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程、 (d)前記半導体基板に不純物を導入して、ソースまたはドレインとしての半導体領域を形成する工程、 (e)前記ゲート電極および前記半導体領域上を含む前記半導体基板上に高融点金属膜を形成する工程、 (f)第1の熱処理を行って前記高融点金属膜と前記ゲート電極または前記半導体領域とを反応させて高融点金属シリサイド層を形成する工程、 (g)前記(f)工程後に、前記高融点金属膜を除去し、前記ゲート電極または前記半導体領域上に前記高融点金属シリサイド層を残す工程、 (h)前記(g)工程後に、第2の熱処理を行って前記高融点金属シリサイド層と前記ゲート電極または前記半導体領域とを反応させる工程、 (i)前記(h)工程後に、ウェット洗浄処理を行う工程、 (j)前記(i)工程後に、前記高融点金属シリサイド層上を含む前記半導体基板上に窒化シリコン膜を形成する工程。

IPC (9)：

H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/304 , H01L21/318 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/417

FI (9)：

H01L29/78 301N , H01L21/28 301S , H01L21/304 647Z , H01L21/318 B , H01L21/90 K , H01L29/50 M , H01L21/90 C , H01L29/78 301P , H01L27/08 321A

F-Term (173)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB14 , 4M104BB18 , 4M104BB20 , 4M104BB30 , 4M104BB40 , 4M104CC05 , 4M104DD02 , 4M104DD04 , 4M104DD07 , 4M104DD08 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD26 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD55 , 4M104DD64 , 4M104DD65 , 4M104DD75 , 4M104DD78 , 4M104DD84 , 4M104FF14 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104GG08 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH15 , 4M104HH20 , 5F033HH04 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH25 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ19 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033KK11 , 5F033KK25 , 5F033LL04 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM05 , 5F033MM07 , 5F033MM08 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ12 , 5F033QQ14 , 5F033QQ16 , 5F033QQ19 , 5F033QQ21 , 5F033QQ25 , 5F033QQ31 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ58 , 5F033QQ59 , 5F033QQ65 , 5F033QQ70 , 5F033QQ73 , 5F033QQ84 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033SS02 , 5F033SS04 , 5F033SS11 , 5F033SS13 , 5F033SS15 , 5F033TT08 , 5F033XX09 , 5F033XX19 , 5F033XX21 , 5F048AA07 , 5F048AA08 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB08 , 5F048BB12 , 5F048BC05 , 5F048BE03 , 5F048BF02 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BF11 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048BG12 , 5F048BG13 , 5F048DA04 , 5F048DA09 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F058BC02 , 5F058BC08 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD10 , 5F058BF04 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BJ02 , 5F140AA05 , 5F140AB03 , 5F140AC28 , 5F140BA01 , 5F140BE07 , 5F140BE13 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BF59 , 5F140BF60 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG30 , 5F140BG32 , 5F140BG35 , 5F140BG38 , 5F140BG41 , 5F140BG44 , 5F140BH14 , 5F140BJ08 , 5F140BJ11 , 5F140BJ17 , 5F140BJ20 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK24 , 5F140BK27 , 5F140BK29 , 5F140BK35 , 5F140BK37 , 5F140BK38 , 5F140BK39 , 5F140CA02 , 5F140CA03 , 5F140CA06 , 5F140CB01 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CC01 , 5F140CC03 , 5F140CC08 , 5F140CC12 , 5F140CC13 , 5F140CE06 , 5F140CE07 , 5F140CF04 , 5F140CF05 , 5F140CF07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-076182 Applicant：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ

Cited by examiner (7)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-124108 Applicant：株式会社東芝
MOS半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-116029 Applicant：沖電気工業株式会社
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