露光用マスク及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木章夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997298429
Publication number (International publication number)：1999133585
Application date： Oct. 30, 1997
Publication date： May. 21, 1999
Summary：

【要約】【課題】微細パターンを形成するための露光用マスクの所望パターンとダミーパターンを規則的に形成し、高精度かつ微細なレジストパターンの形成を可能とする。【解決手段】フォトレジストに対して第1のフォトマスク11を用いて第1の露光を行い、前記フォトレジストに対して第2のフォトマスク12を用いて第2の露光を行い、前記第1の露光と第2の露光により前記フォトレジストに所要のレジストパターンを形成するための露光用マスクにおいて、第1のフォトマスク11は規則的に配置された複数の格子点のそれぞれに所望パターン101とダミーパターン102が形成され、第2のフォトマスクは前記複数の格子点のうち選択された格子点に前記第1のパターン以上の大きさのダミーパターン102が形成される。パターンが微細化された場合でも所望パターンとダミーパターンを規則的に配置することができ、第1のフォトマスクを用いた露光ではパターンの繰り返し性が確保でき、DOFを向上し、高精度かつ微細なパターンの露光及びレジストパターン形成が可能となる。

Claim (excerpt)：

フォトレジストに対して第1のフォトマスクを用いて第1の露光を行い、前記フォトレジストに対して第2のフォトマスクを用いて第2の露光を行い、前記第1の露光と第2の露光により前記フォトレジストに所要のレジストパターンを形成するための露光用マスクにおいて、前記第1のフォトマスクは規則的に配置された複数の格子点のそれぞれに第1のパターンが形成され、前記第2のフォトマスクは前記複数の格子点のうち選択された格子点に前記第1のパターン以上の大きさの第2のパターンが形成されていることを特徴とする露光用マスク。

IPC (2)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (3)：

G03F 1/08 A , H01L 21/30 502 P , H01L 21/30 502 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

レジストパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-177148 Applicant：ソニー株式会社
特開平2-083972
回路パターンの形成方法及びそれに用いられるレチクル
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-006394 Applicant：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社

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