半導体装置およびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000295235
Publication number (International publication number)：2002110788
Application date： Sep. 27, 2000
Publication date： Apr. 12, 2002
Summary：

【要約】【課題】酸素を用いたフォトレジストパターンの剥離工程における、低誘電率絶縁膜の誘電率の上昇を防止すること。【解決手段】低誘電率絶縁膜であるメチルポリシロキサン膜5上のフォトレジストパターン6を、酸素および窒素を含むガスを用いたプラズマ処理により剥離する。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、接続孔を有する低誘電率絶縁膜と、前記低誘電率絶縁膜の接続孔の側面上に選択的に形成された保護膜と、前記低誘電率絶縁膜の接続孔内に形成された導電性部材とを具備してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/768 , G03F 7/42 , H01L 21/027 , H01L 21/3065

FI (5)：

G03F 7/42 , H01L 21/90 S , H01L 21/30 572 A , H01L 21/302 H , H01L 21/90 A

F-Term (44)：

2H096AA25 , 2H096CA05 , 2H096HA14 , 2H096LA07 , 2H096LA08 , 5F004AA16 , 5F004BA04 , 5F004BD01 , 5F004DA00 , 5F004DA24 , 5F004DA25 , 5F004DB03 , 5F004DB23 , 5F004DB26 , 5F004EB02 , 5F004EB03 , 5F033HH11 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ33 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP27 , 5F033QQ09 , 5F033QQ13 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ90 , 5F033RR06 , 5F033RR23 , 5F033RR25 , 5F033TT04 , 5F033TT06 , 5F033TT07 , 5F033XX24 , 5F046MA12 , 5F046MA13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-104439 Applicant：日本電気株式会社
特開平2-077125
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-282863 Applicant：日本電気株式会社

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