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J-GLOBAL ID:200903037190487233
発光ダイオードアレイ
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
平田 忠雄
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999347017
Publication number (International publication number):2001168394
Application date: Dec. 07, 1999
Publication date: Jun. 22, 2001
Summary:
【要約】【課題】 発光出力の高い発光ダイオードアレイを提供する。【解決手段】 基板31上に複数の結晶層を積んだエピタキシャル層が形成され、絶縁・分割された複数個の発光ダイオード30におけるオーミック接合によって形成される電極40が、発光部37a上に少なくとも2本以上突出して形成されている。このように、電極40を櫛形状に形成しているので、漏れ発光出力が最も高い発光部37aの表面と電極40との接触長を稼ぐことができ、発光ダイオードアレイ30全体の発光出力を大幅に向上させることができる.
Claim (excerpt):
基板上に複数の結晶層を積んだエピタキシャル層が形成され、絶縁・分割された複数個の発光ダイオードを有する発光ダイオードアレイにおいて、前記複数個の発光ダイオードのそれぞれの発光部上に複数の所定幅のストライプ電極を設けたことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
IPC (4):
H01L 33/00
, B41J 2/44
, B41J 2/45
, B41J 2/455
FI (2):
H01L 33/00 E
, B41J 3/21 L
F-Term (18):
2C162AH23
, 2C162FA17
, 2C162FA23
, 5F041AA04
, 5F041AA47
, 5F041CA04
, 5F041CA35
, 5F041CA36
, 5F041CA64
, 5F041CA74
, 5F041CA85
, 5F041CA91
, 5F041CA93
, 5F041CB11
, 5F041CB22
, 5F041DA07
, 5F041DB07
, 5F041FF13
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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半導体発光ダイオード
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-328336
Applicant:ローム株式会社
-
特開平4-239185
-
特開平4-100277
-
面発光型半導体発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-265088
Applicant:オムロン株式会社
-
半導体発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-243886
Applicant:シャープ株式会社
-
発光ダイオード
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-157878
Applicant:シャープ株式会社
-
発光ダイオード
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-309071
Applicant:シヤープ株式会社
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