半導体メモリ素子およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：磯野道造
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004152661
Publication number (International publication number)：2004349709
Application date： May. 24, 2004
Publication date： Dec. 09, 2004
Summary：

【課題】少ない電流でカルコゲナイド物質層の相変化に必要な熱量を伝達できるため、データの記録動作を低電流で行なうことができる半導体メモリ素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】トランジスタおよびデータ貯蔵部の間に配置された発熱部と、前記データ貯蔵部に連結された金属配線とを備え、前記データ貯蔵部は前記発熱部の発熱により相変化してデータを貯蔵するカルコゲナイド物質層を含む半導体メモリ素子およびその製造方法。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

トランジスタおよびデータ貯蔵部を含む半導体メモリ素子において、前記トランジスタと前記データ貯蔵部の間に配置された発熱部と、前記データ貯蔵部に連結された金属配線とを備え、前記データ貯蔵部は、前記発熱部の発熱により相変化してデータを貯蔵するカルコゲナイド物質層を含むことを特徴とする半導体メモリ素子。

IPC (2)：

H01L27/10 , H01L45/00

FI (2)：

H01L27/10 448 , H01L45/00 A

F-Term (12)：

5F083FZ10 , 5F083GA05 , 5F083JA36 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA60 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083PR10 , 5F083PR12 , 5F083PR21 , 5F083PR40

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

米国特許第6,294,452号明細書

Cited by examiner (4)

改善された接合を有する電気的にプログラム可能なメモリ素子
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-607287 Applicant：オヴォニクスインコーポレイテッド
相変化型不揮発性メモリ素子、該相変化型不揮発性メモリ素子を用いたメモリアレーおよび該相変化型不揮発性メモリ素子の情報記録方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-286998 Applicant：株式会社リコー
相変化性メモリ材料と誘電材料との混合物から成る複合メモリ材料
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平10-519794 Applicant：エナージーコンバーションデバイセスインコーポレイテッド

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