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J-GLOBAL ID：200903037370035004

Cu-CVDプロセス用原料

Inventor： 関口 敦 ,  小林 明子 ,  張 敏娟 ,  江上 明宏 ,  斎 篤 ,  小木 勝実
Applicant, Patent owner： アネルバ株式会社 ,  三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 田宮 寛祉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999052169
Publication number (International publication number)：2000248361
Application date： Mar. 01, 1999
Publication date： Sep. 12, 2000
Summary：

【要約】【課題】Cu-CVDプロセスによるCu膜作製でCu(hfac)(atms)を用いる場合にCu膜成長の初期段階で結晶成長の核発生密度を高める。【解決手段】Cu-CVDプロセスによって基板表面にCu膜を形成する方法に使用される原料として、Cu(hfac)(atms)に2-butyne、tmvs、3-Hex、1,5-CODのうちいずれかを添加して作られる液体原料が使用される。この添加剤はCu膜形成の初期段階での結晶成長の核発生密度を高める。添加剤の添加割合は0.1〜20mol%の範囲内に含まれることが好ましい。

Claim (excerpt)：

Cu(hfac)(atms)に対して、添加剤として、2-butyne、tmvs、3-Hex、1,5-CODのうちのいずれかを添加して作られる液体原料であって、気化されて反応室内に導入され、この反応室内で加熱状態で配置された基板の表面にCVD法によりCu膜を形成するのに使用されるCu-CVDプロセス用原料。

IPC (2)：

C23C 16/14 ,  H01L 21/285

FI (2)：

C23C 16/14 ,  H01L 21/285 C

F-Term (17)：

4K030AA11 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030AA24 ,  4K030BA01 ,  4K030EA01 ,  4K030EA05 ,  4K030JA06 ,  4K030LA15 ,  4K030LA18 ,  4M104BB17 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• CVD装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-159046   Applicant：アネルバ株式会社
• 有機金属化学蒸着用の銅薄膜形成用溶液原料及びこれから作られた銅薄膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-014740   Applicant：三菱マテリアル株式会社
• 薄膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-140879   Applicant：川崎製鉄株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-183880   Applicant：株式会社東芝