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J-GLOBAL ID：200903062431748305

露光装置、半導体薄膜、薄膜トランジスタ、液晶表示装置、EL表示装置およびその製造方法

Inventor： 西谷 輝 ,  山本 睦
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000343295
Publication number (International publication number)：2002151407
Application date： Nov. 10, 2000
Publication date： May. 24, 2002
Summary：

【要約】【課題】 従来のTFT半導体膜の製造方法には、その結晶化工程において、(1)作製されるシリコン薄膜が、多結晶であり結晶粒径が小さいことから、移動度が小さく、また、TFTの劣化が大きい、(2)結晶化に用いるレーザはパルスレーザであり、パルス毎のレーザ強度にバラツキがあり、単パルスで作製した場合、結晶の膜質や結晶粒径にバラツキが生じる、という課題があった。【解決手段】 段差部がなだらかな膜厚分布のある非晶質半導体膜にレーザ光を照射する結晶化方法、および膜厚分布のある非晶質半導体膜に、光量分布を有するレーザ光を照射しする結晶化方法とすることにより、大粒径半導体結晶を形成する。

Claim (excerpt)：

感光レジストに対することを特徴とする露光と、非晶質半導体に対する溶融結晶化が同一装置で行うことが可能であることを特徴とする露光装置。

IPC (9)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 501 ,  G03F 7/20 505 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/027 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (12)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  G03F 1/08 G ,  G03F 7/20 501 ,  G03F 7/20 505 ,  H01L 21/268 G ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 514 C ,  H01L 21/30 570 ,  H01L 29/78 618 C ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 C

F-Term (87)：

2H092JA24 ,  2H092JA29 ,  2H092KA04 ,  2H092KA07 ,  2H092MA08 ,  2H092MA14 ,  2H092MA15 ,  2H092MA16 ,  2H092MA18 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  2H092NA22 ,  2H092NA24 ,  2H095BA06 ,  2H095BB02 ,  2H095BC09 ,  2H097BA02 ,  2H097BA06 ,  2H097BB01 ,  2H097CA17 ,  2H097JA02 ,  2H097JA03 ,  2H097LA10 ,  2H097LA12 ,  2H097LA17 ,  5F046AA17 ,  5F046AA28 ,  5F046CA04 ,  5F046CB17 ,  5F046DA14 ,  5F052AA02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA04 ,  5F052CA10 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052FA01 ,  5F052FA07 ,  5F052JA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE03 ,  5F110EE06 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110FF25 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF31 ,  5F110FF32 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL08 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP29 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 薄膜半導体装置とその製造方法及び薄膜トランジスタの製造方法並びに薄膜トランジスタ及び液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-021759   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体薄膜の結晶化方法及びレーザ照射装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-110237   Applicant：ソニー株式会社
• 非晶質シリコン層の結晶化方法及びこれを使用する薄膜トランジスターの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-110658   Applicant：エルジー電子株式会社
• 特開平2-283036
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-078163   Applicant：株式会社東芝
• 特開平3-290921
  
• 半導体薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-315192   Applicant：日本電気株式会社
• 薄膜半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-326929   Applicant：ソニー株式会社