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J-GLOBAL ID:200903009934333058

半導体薄膜、半導体薄膜の製造方法、及び単結晶半導体薄膜の製造装置、並びに単結晶薄膜の製造方法、単結晶薄膜基板、半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 佐藤 勝
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001244163
Publication number (International publication number):2002158172
Application date: Aug. 10, 2001
Publication date: May. 31, 2002
Summary:
【要約】【課題】 従来の多結晶薄膜とは一線を画し高性能で特性の安定したデバイスの作製に好適であってしかもその製造工程も短い時間で十分な半導体薄膜とその製造方法、及びその製造装置を提供する。【解決手段】 非単結晶薄膜を単結晶化するに際して、レーザー照射などの熱処理の条件を絶縁基板31上で多結晶粒が略規則的に整列される条件とし、略規則的に整列された多結晶粒の表面状態のままに熱処理することで結晶化が進んだ構造の単結晶薄膜34が形成される。
Claim (excerpt):
絶縁基体上に非単結晶薄膜を形成する工程と、該非単結晶薄膜に第1の熱処理を施して多結晶粒が略規則的に整列した多結晶薄膜を形成する工程と、該多結晶薄膜に第2の熱処理を施して前記多結晶粒が結合した単結晶薄膜を形成する工程とを有することを特徴とする単結晶薄膜の製造方法。
IPC (5):
H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786
FI (6):
H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/268 J ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 618 Z ,  H01L 29/78 620
F-Term (68):
2H092JA24 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  2H092PA01 ,  5F052AA02 ,  5F052AA03 ,  5F052AA06 ,  5F052AA11 ,  5F052AA14 ,  5F052AA17 ,  5F052AA24 ,  5F052BA02 ,  5F052BA04 ,  5F052BA07 ,  5F052BA12 ,  5F052BB01 ,  5F052BB02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA04 ,  5F052DA02 ,  5F052DA10 ,  5F052DB01 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052EA15 ,  5F052EA16 ,  5F052FA19 ,  5F052HA01 ,  5F052JA01 ,  5F110AA16 ,  5F110AA18 ,  5F110BB02 ,  5F110BB05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG48 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP08 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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