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J-GLOBAL ID：200903037498121981

成膜方法

Inventor： 阿川 義昭 ,  後藤 誠一 ,  木内 正人 ,  杉本 敏司
Applicant, Patent owner： 株式会社アルバック ,  独立行政法人産業技術総合研究所
Agent (2)： 石島 茂男 ,  阿部 英樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003075058
Publication number (International publication number)：2004277871
Application date： Mar. 19, 2003
Publication date： Oct. 07, 2004
Summary：

【課題】大面積の基板にカーボンナノチューブを成膜する。【解決手段】真空槽11内部に基板17を搬入し、試料ステージ16と電極18との間に交流パルス電圧を印加し、真空槽11内部に原料ガスを導入し、触媒材料の薄膜表面に、カーボンナノチューブの薄膜を成長させている。このため、試料ステージ16と電極18の面積を大きくするだけで、大面積の基板表面にもカーボンナノチューブを成膜することができる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

真空槽と、前記真空槽内に配置された電極と、前記電極と対向して前記真空槽内に配置された基板ホルダとを用い、 触媒材料または触媒材料を備えた基板を前記基板ホルダに保持させ、真空雰囲気にされた前記真空槽の内部に炭素原子を含む原料ガスを導入して、前記基板の表面にカーボンナノチューブを成膜する成膜方法であって、 前記原料ガス雰囲気にされた前記真空槽の内部の、前記電極と前記基板ホルダとの間に交流電圧を印加する成膜方法。

IPC (3)：

C23C16/503 ,  C01B31/02 ,  C23C16/26

FI (3)：

C23C16/503 ,  C01B31/02 101F ,  C23C16/26

F-Term (18)：

4G146AA11 ,  4G146AB07 ,  4G146AD24 ,  4G146AD37 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BC08 ,  4G146BC16 ,  4G146BC27 ,  4G146BC42 ,  4G146DA03 ,  4G146DA16 ,  4G146DA25 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030BA27 ,  4K030JA17 ,  4K030JA18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• カーボンナノチューブ接合体およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-402668   Applicant：株式会社東芝
• ダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-168682   Applicant：積水化学工業株式会社
• 非晶質硬質炭素膜及びその成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-050411   Applicant：株式会社ボッシュオートモーティブシステム

Cited by examiner (3)

• カーボンナノチューブ接合体およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-402668   Applicant：株式会社東芝
• ダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-168682   Applicant：積水化学工業株式会社
• 非晶質硬質炭素膜及びその成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-050411   Applicant：株式会社ボッシュオートモーティブシステム