半導体素子の金属配線層形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：八田幹雄 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002141175
Publication number (International publication number)：2003023069
Application date： May. 16, 2002
Publication date： Jan. 24, 2003
Summary：

【要約】【課題】デュアルダマシン工程による半導体素子の金属配線層形成方法を提供する。【解決手段】導電層が形成された半導体基板上にストッパー膜、層間絶縁膜及びハードマスク層、第1幅を有する第1開口部を備えた第1フォトレジストパターンを形成し、ハードマスク層及び一部の層間絶縁膜をエッチングして第1幅を有するパーシャルビアホールを形成して、該パターンを除去し、有機物質膜を塗布し、第1幅より大きな第2幅を有する第2開口部を備えた第2フォトレジストパターンを形成し、層間絶縁膜上部の有機物質膜及びハードマスク層をエッチングして第2フォトレジストパターン及び有機物質膜を同時に除去し、ハードマスク層をエッチングマスクとして層間絶縁膜をエッチングして第2幅を有する配線領域と第1幅を有するビアホールを形成する、ことを含む半導体素子の金属配線層形成方法である。

Claim (excerpt)：

導電層が形成された半導体基板上にストッパー膜を形成する段階と、前記ストッパー膜上に層間絶縁膜を形成する段階と、前記層間絶縁膜上にハードマスク層を形成する段階と、前記ハードマスク層上に第1幅を有して前記ハードマスク層の上面を一部露出させる第1開口部を備えた第1フォトレジストパターンを形成する段階と、前記第1フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記ハードマスク層及び前記層間絶縁膜の一部をエッチングして第1幅を有するパーシャルビアホールを形成する段階と、前記第1フォトレジストパターンを除去する段階と、パーシャルビアホールが形成された前記半導体基板上に、前記パーシャルビアホールを埋め込むために有機物質膜を塗布する段階と、有機物質膜が形成された前記半導体基板上に、前記パーシャルビアホールに対応するように位置する前記第1幅より大きな第2幅を有する第2開口部を備えた第2フォトレジストパターンを形成する段階と、前記第2フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記層間絶縁膜上部の前記有機物質膜及び前記ハードマスク層をエッチングする段階と、前記第2フォトレジストパターン及び前記有機物質膜を同時に除去する段階と、前記ハードマスク層をエッチングマスクとして前記層間絶縁膜をエッチングして、第2幅を有する配線領域および第1幅を有するビアホールを形成する段階と、を含むことを特徴とする半導体素子の金属配線層形成方法。

F-Term (40)：

5F033HH18 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ18 , 5F033JJ21 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033KK01 , 5F033KK11 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ15 , 5F033QQ16 , 5F033QQ19 , 5F033QQ25 , 5F033QQ28 , 5F033QQ30 , 5F033QQ35 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR01 , 5F033RR06 , 5F033RR09 , 5F033RR11 , 5F033RR14 , 5F033RR15 , 5F033RR21 , 5F033RR25 , 5F033RR29 , 5F033SS04 , 5F033SS22 , 5F033XX01 , 5F033XX09 , 5F033XX24

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-316546 Applicant：日本電気株式会社
半導体デバイスの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-318556 Applicant：三菱電機株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-088198 Applicant：株式会社東芝

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