半導体装置およびその製造方法、絶縁膜の形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊東忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000199737
Publication number (International publication number)：2002026121
Application date： Jun. 30, 2000
Publication date： Jan. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】低密度低誘電率膜の密着性を向上させ、半導体製造プロセスで使われる様々な薬液やプラズマに対する耐性を向上させる。【解決手段】低密度低誘電率膜の表面をプラズマ処理し、緻密な表面改質層を形成する。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上に形成された多層配線構造とよりなる半導体装置において、前記多層配線構造は、比誘電率が3以下で、少なくともSi,CおよびHを含む低誘電率膜よりなる層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜中に形成された配線溝を充填する導体パターンとよりなり、前記層間絶縁膜は、前記配線溝を形成する表面に表面改質膜を有し、前記表面改質膜は、前記低誘電率膜の内部に比べてSi原子とO原子の割合が増大し、C原子の割合が減少していることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/768 , H01L 21/316

FI (4)：

H01L 21/316 P , H01L 21/90 P , H01L 21/90 B , H01L 21/90 N

F-Term (44)：

5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033KK03 , 5F033KK07 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033KK21 , 5F033MM02 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ11 , 5F033QQ13 , 5F033QQ25 , 5F033QQ28 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ89 , 5F033QQ92 , 5F033QQ96 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR09 , 5F033RR21 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033SS22 , 5F033TT02 , 5F033TT03 , 5F033TT04 , 5F033XX03 , 5F033XX05 , 5F033XX12 , 5F033XX24 , 5F033XX28 , 5F058BA05 , 5F058BA07 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BH16 , 5F058BJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体集積回路装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-244930 Applicant：株式会社日立製作所
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-223867 Applicant：株式会社東芝
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-344721 Applicant：日本電気株式会社

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