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J-GLOBAL ID:200903037601729624
高濃度不純物ダイヤモンド薄膜及びその製造方法
Inventor:
,
,
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Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006008118
Publication number (International publication number):2007194231
Application date: Jan. 17, 2006
Publication date: Aug. 02, 2007
Summary:
【課題】 不純物濃度傾斜層を用いた高濃度不純物ダイヤモンド薄膜及びその製造方法を提供する。【解決手段】 ダイヤモンド単結晶基板上に、不純物濃度が異なる不純物ダイヤモンド薄膜を複数層設けることにより、ダイヤモンド単結晶基板側から、不純物が順次高くなった傾斜層を作成し、最外層が最高濃度不純物を含むダイヤモンド薄膜である不純物傾斜型ダイヤモンド薄膜及びその製造方法。【選択図】 図2
Claim (excerpt):
ダイヤモンド単結晶基板上に、不純物濃度が異なる不純物ダイヤモンド薄膜を複数層設けることにより、ダイヤモンド単結晶基板側から、不純物が順次高くなった傾斜層を作成し、最外層が最高濃度不純物を含むダイヤモンド薄膜である不純物傾斜型ダイヤモンド薄膜。
IPC (3):
H01L 21/205
, H01L 29/16
, C23C 16/27
FI (3):
H01L21/205
, H01L29/16
, C23C16/27
F-Term (18):
4K030AA10
, 4K030AA17
, 4K030BA28
, 4K030BB12
, 4K030CA01
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030FA01
, 4K030JA01
, 4K030LA11
, 5F045AA09
, 5F045AB07
, 5F045AC08
, 5F045AC19
, 5F045AD13
, 5F045AD14
, 5F045CA01
, 5F045CA10
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-213078
Applicant:株式会社神戸製鋼所
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特開平3-120865
-
リンドープダイヤモンドの合成法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-252376
Applicant:科学技術庁無機材質研究所長
-
特開平4-317498
-
特開平4-022172
-
ダイヤモンド膜及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-123920
Applicant:信越化学工業株式会社
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