Pat
J-GLOBAL ID:200903037918350701

チャックテーブル及び半導体ウェーハの研削方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 佐々木 功 ,  川村 恭子
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003114154
Publication number (International publication number):2004319885
Application date: Apr. 18, 2003
Publication date: Nov. 11, 2004
Summary:
【課題】チャックテーブルにおいて半導体ウェーハを吸引保持して研削する場合においては、厚さが100μm以下、50μm以下というように極めて薄く研削されても研削時に外周部にバタツキが生じないようにすると共に、半導体ウェーハに研削屑が付着するのを防止する。【解決手段】研削水を供給しながら半導体ウェーハWを研削する研削装置に搭載されるチャックテーブル10であって、半導体ウェーハWを吸引する吸引部11と、吸引部11を囲繞する枠体12とから構成され、吸引部11の外径は、吸引する半導体ウェーハWの外径と等しいか、または半導体ウェーハWの外径より大きく、吸引部11には、半導体ウェーハWの外径より小さい外径からなる隔壁13が形成され、隔壁13は、吸引部11を内周側吸引部14と外周側吸引部15とに区画する。【選択図】 図2
Claim (excerpt):
研削水を供給しながら半導体ウェーハを研削する研削装置に搭載されるチャックテーブルであって、 半導体ウェーハを吸引する吸引部と、該吸引部を囲繞する枠体とから構成され、 該吸引部の外径は、吸引する半導体ウェーハの外径と等しいか、または該半導体ウェーハの外径より大きく、 該吸引部には、該半導体ウェーハの外径より小さい外径からなる隔壁が形成され、該隔壁は、該吸引部を内周側吸引部と外周側吸引部とに区画することを特徴とするチャックテーブル。
IPC (3):
H01L21/304 ,  B24B7/04 ,  B24B41/06
FI (3):
H01L21/304 622H ,  B24B7/04 ,  B24B41/06 L
F-Term (12):
3C034AA07 ,  3C034BB73 ,  3C034CB08 ,  3C034DD10 ,  3C043BA09 ,  3C043CC04 ,  3C043DD05 ,  3C043EE04 ,  3C058AA02 ,  3C058AB04 ,  3C058CB02 ,  3C058DA17
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
  • 吸着板及びその吸着板を備えた研削装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平11-329917   Applicant:株式会社ディスコ
  • 真空吸着盤
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平10-183107   Applicant:京セラ株式会社
  • 半導体ウエハの研削装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平9-200231   Applicant:シャープ株式会社, 株式会社岡本工作機械製作所
Show all

Return to Previous Page