太陽電池及び太陽電池モジュール

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：宮田金雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000370085
Publication number (International publication number)：2002176186
Application date： Dec. 05, 2000
Publication date： Jun. 21, 2002
Summary：

【要約】【課題】 n層中のシリコンと表銀電極の反応を十分安定した状態で行うことができ、電気的特性及び寿命を向上させることができる。【解決手段】太陽電池若しくは太陽電池モジュールを、n層3のシート抵抗を80Ω/□以下とし、かつ、表銀電極10によるn層3を侵食する深さを5nm以上40nm以下の範囲として構成する。

Claim (excerpt)：

第1導電型のシリコン基板と、前記第1導電型のシリコン基板の受光面に形成された第2導電型の半導体層と、前記第2導電型の半導体層を侵食して前記第2導電型の半導体層と接触するように形成された金属電極とを有する太陽電池において、前記第2導電型の半導体層のシート抵抗を80Ω/□以下とし、かつ、前記金属電極による前記第2導電型の半導体層を侵食する深さを5nm以上40nm以下の範囲とすることを特徴とする太陽電池。

F-Term (10)：

5F051AA03 , 5F051BA17 , 5F051CB27 , 5F051CB29 , 5F051FA10 , 5F051FA13 , 5F051FA30 , 5F051GA04 , 5F051HA03 , 5F051HA07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

太陽電池の製造方法及び太陽電池並びに半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-142406 Applicant：三菱電機株式会社
太陽電池素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-017088 Applicant：京セラ株式会社
太陽電池素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-082256 Applicant：京セラ株式会社

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