太陽電池素子の製造方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999082256
Publication number (International publication number)：2000277778
Application date： Mar. 25, 1999
Publication date： Oct. 06, 2000
Summary：

【要約】【課題】電極材料を反射防止膜上から焼き付けて形成する際に、電極の被着強度が弱いという問題があった。【解決手段】一導電型を呈する半導体基板の一主面側に他の導電型を呈する領域を形成すると共に、反射防止膜を形成し、この半導体基板の他の主面側と前記反射防止膜に電極材料を焼き付けて形成する太陽電池素子の製造方法において、前記反射防止膜と一主面側の電極材料との間に電極材料中のガラスフリットの成分と親和性の高い酸化膜を介在させて前記電極材料を焼き付けるようにした。。

Claim (excerpt)：

一導電型を呈する半導体基板の一主面側に他の導電型を呈する領域を形成すると共に、反射防止膜を形成し、この半導体基販の一主面側と他の主面側に電極材料を焼き付けて電極を形成する太陽電池素子の製造方法において、前記反射防止膜と一主面側の電極材料との間に電極材料中のガラスフリットの成分と親和性の高い酸化膜を介在させて前記電極材料を焼き付けることを特徴とする太陽電池素子の製造方法。

FI (2)：

H01L 31/04 H , H01L 31/04 F

F-Term (12)：

5F051AA02 , 5F051AA03 , 5F051CB20 , 5F051CB22 , 5F051CB27 , 5F051CB29 , 5F051DA03 , 5F051FA18 , 5F051FA19 , 5F051GA06 , 5F051GA14 , 5F051HA07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

薄型太陽電池及びその製造方法,エッチング方法及び自動エッチング装置,並びに半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-032351 Applicant：三菱電機株式会社
光電変換素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-203158 Applicant：シヤープ株式会社
特開昭62-049676

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