エッチング方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：浅井章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995043532
Publication number (International publication number)：1996213372
Application date： Feb. 07, 1995
Publication date： Aug. 20, 1996
Summary：

【要約】【目的】エッチング時の放電持続時間を短くして選択比の高い活性種イオンの存在比を高めて肩部の選択性を向上させる。【構成】処理室16内にエッチングガスを導入しつつ被処理体Wに対してプラズマエッチング処理を施すエッチング方法において、前記エッチングガスは少なくともC4 F8 とCOとを含む混合ガスよりなり、例えば肩部4Bにおける被エッチング層とこの下地層4との選択比が10以上となるように前記処理室内のエッチングガス滞在時間Tを設定する。これにより、放電持続時間が短くなってエッチングガスの解離の進行が促進され、選択性の高い活性種イオンの存在比を高めることができる。

Claim (excerpt)：

処理室内にエッチングガスを導入しつつ被処理体に対してプラズマエッチング処理を施すエッチング方法において、前記エッチングガスは少なくともC4 F8 とCOとを含む混合ガスよりなり、被エッチング層とこの下地層との選択比が10以上となるように前記処理室内のエッチングガス滞在時間を設定するように構成したことを特徴とするエッチング方法。

IPC (4)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , C30B 33/12 , H05H 1/46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

エッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-085575 Applicant：東京エレクトロン株式会社
エッチング方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-222416 Applicant：日新電機株式会社
プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-068098 Applicant：株式会社日立製作所

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