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J-GLOBAL ID：200903038279830051
無機材料膜のパターン形成方法及び構造物
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：
宇都宮 正明
, 渡部 温
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007211779
Publication number (International publication number)：2008078631
Application date： Aug. 15, 2007
Publication date： Apr. 03, 2008
Summary：
【課題】より汎用性が高く、簡易で実用的な無機材料膜のパターン形成方法を提供する。【解決手段】この方法は、無機材料の膜のパターンを形成する方法において、基板上に、上記無機材料とは熱膨張係数が異なる材料を用いて、パターンを有する犠牲層を形成する工程(a)と、該犠牲層が形成された基板上に、所定の成膜温度で無機材料を用いて無機材料層を形成する工程(b)と、該無機材料層を降温させることにより、犠牲層上に形成された無機材料層にクラックを発生させる工程(c)と、犠牲層及びその上に形成された無機材料層を除去する工程(d)とを含む。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
無機材料膜のパターンを形成する方法において、
基板上に、前記無機材料とは熱膨張係数が異なる材料を用いて、パターンを有する犠牲層を形成する工程(a)と、
前記犠牲層が形成された基板上に、所定の成膜温度で前記無機材料を用いて無機材料層を形成する工程(b)と、
少なくとも前記無機材料層を降温させることにより、前記犠牲層上に形成された前記無機材料層にクラックを発生させる工程(c)と、
前記犠牲層及びその上に形成された前記無機材料層を除去する工程(d)と、
を具備する無機材料膜のパターン形成方法。
IPC (5)：
H01L 41/22
, H01L 41/18
, H01L 41/09
, H03H 3/02
, H03H 9/17
H01L41/22 Z
, H01L41/18 101Z
, H01L41/08 C
, H03H3/02 B
, H03H9/17 F
5J108BB08
, 5J108CC11
, 5J108EE04
, 5J108KK01
, 5J108MM11
Cited by applicant (2)
-
微細装置の製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2000-167421
Applicant：ソニー株式会社
-
圧電共振子回路およびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2003-072658
Applicant：株式会社メムス・コア
Cited by examiner (7)
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