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J-GLOBAL ID：200903038444516383

AlGaN単層またはAlGaN多層構造のMBE成長

Inventor： ブーズケット, ヴァレリ ,  フーパー, スチュワート エドワード ,  バーンズ, ジェニファー メアリー ,  ジョンソン, キャサリン エル. ,  ヘファナン, ジョナサン
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (3)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  大塩 竹志
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004530560
Publication number (International publication number)：2005536883
Application date： Aug. 18, 2003
Publication date： Dec. 02, 2005
Summary：

分子線エピタキシによってAlGaN半導体層構造を成長させる方法は、アンモニアとガリウムとアルミニウムとを成長チャンバに供給し、これにより、成長チャンバ内に配置された基板上に、MBEによって、第1の(Al、Ga)N層を成長させるステップを包含する。第1の(Al、Ga)N層は、ゼロではないアルミニウムモル分率を有する。成長ステップの間、アンモニアは、少なくとも1×10-4mbarのビーム平衡圧で供給され、ガリウムは、少なくとも1×10-8mbarのビーム平衡圧で供給され、アルミニウムは、少なくとも1×10-8mbarのビーム平衡圧で供給される。

Claim (excerpt)：

AlGaN半導体層構造を成長させる方法であって、前記方法は、 アンモニアとガリウムとアルミニウムとを成長チャンバに供給し、これにより、前記成長チャンバ内に配置された基板上に、MBEによって、ゼロではないアルミニウムモル分率を有する第1の(Al、Ga)N層を成長させるステップ(a)であって、アンモニアは、少なくとも1×10-4mbarのビーム平衡圧で供給され、ガリウムは、少なくとも1×10-8mbarのビーム平衡圧で供給され、アルミニウムは、少なくとも1×10-8mbarのビーム平衡圧で供給される、ステップを包含する、方法。

IPC (3)：

H01L21/203 ,  H01L29/06 ,  H01L33/00

FI (3)：

H01L21/203 M ,  H01L29/06 601W ,  H01L33/00 C

F-Term (18)：

5F041AA40 ,  5F041AA42 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA22 ,  5F041CA40 ,  5F041CA66 ,  5F103AA04 ,  5F103DD01 ,  5F103HH03 ,  5F103HH04 ,  5F103KK01 ,  5F103KK10 ,  5F103LL02 ,  5F103LL03 ,  5F103NN01 ,  5F103NN04 ,  5F103NN05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 分子線エピタキシ法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-062656   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体層の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-175664   Applicant：シャープ株式会社
• p型III族ナイトライド化合物半導体およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-135406   Applicant：ソニー株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Ammonia-molecular-beam epitaxial growth and optical properties of GaN/AlGaN quantum wells