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J-GLOBAL ID：200903074751453522

分子線エピタキシ法

Inventor：
スチュアート エドワード フーパー

About スチュアート エドワード フーパー

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アリスター ヘンダーソン キーン

About アリスター ヘンダーソン キーン

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ジェフリー ダガン

About ジェフリー ダガン


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998062656
Publication number (International publication number)：1998265298
Application date： Mar. 13, 1998
Publication date： Oct. 06, 1998
Summary：
【要約】【課題】 分子線エピタキシによりIII族窒化物材料をエピタキシャルに成長させる改良方法を提供する。【解決手段】 分子線エピタキシによってIII族窒化物材料の層を基板上に成長させる方法は、真空チャンバ内に基板を配置する工程と、真空チャンバ内の圧力を分子線エピタキシによるエピタキシャル成長に適切な圧力に減少させる工程と、アンモニアを第1の供給管の出口を通して真空チャンバ内に供給し、アンモニアを基板に向けてフローさせる工程と、III族元素を元素形態で第2の供給管の出口を通して真空チャンバ内に供給し、III族元素を基板の方にフローさせ、III族窒化物を含有する層を分子線エピタキシによって基板上に成長させる工程とを包含する。この方法において第1の供給管の出口は、第2の供給管の出口よりも基板により近接して配置されている。
Claim (excerpt)：
分子線エピタキシによってIII族窒化物材料の層を基板上に成長させる方法であって、(i)真空チャンバ内に基板を配置する工程と、(ii)該真空チャンバ内の圧力を分子線エピタキシによるエピタキシャル成長に適切な圧力に減少させる工程と、(iii)アンモニアを第1の供給管の出口を通して該真空チャンバ内に供給し、該アンモニアを該基板に向けてフローさせる工程と、(iv)III族元素を元素形態で第2の供給管の出口を通して該真空チャンバ内に供給し、該III族元素を該基板の方にフローさせ、これによって、III族窒化物を含有する層を分子線エピタキシによって該基板上に成長させる工程と、を包含し、該第1の供給管の該出口が、該第2の供給管の該出口よりも該基板により近接して配置されている、方法。
IPC (3)：
C30B 29/38 ,  C30B 23/08 ,  H01L 21/203
FI (3)：
C30B 29/38 D ,  C30B 23/08 M ,  H01L 21/203 M
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (10)
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Cited by examiner (4)
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