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J-GLOBAL ID：200903053511802891
半導体層の成長方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000175664
Publication number (International publication number)：2001044123
Application date： Jun. 12, 2000
Publication date： Feb. 16, 2001
Summary：
【要約】【課題】 分子線エピタキシによる高質な窒化物半導体層の成長法を提供する。【解決手段】 分子線エピタキシにより窒化物半導体層を成長させる方法であって、(a)真空チャンバ10内に基板Sを配置する工程と、(b)分子線エピタキシにより基板S上にGaxAl1-xN(0≦x≦1)層を成長させる工程と、(c)GaxAl1-xN層をアニーリングする工程と、(d)100:1以上の真空チャンバ10内のV/III分子比で、分子線エピタキシにより、GaxAl1-xN層上に窒化物半導体層を成長させる工程と、を含み、工程(b)および工程(d)において真空チャンバ10にアンモニアガスを提供する工程を更に含む、方法。
Claim (excerpt)：
分子線エピタキシにより窒化物半導体層を成長させる方法であって、a)真空チャンバ内に基板を配置する工程と、b)分子線エピタキシにより該基板上にGaxAl1-xN(0≦x≦1)層を成長させる工程と、c)該GaxAl1-xN層をアニーリングする工程と、d)100:1以上の該真空チャンバ内のV/III分子比で、分子線エピタキシにより、該GaxAl1-xN層上に窒化物半導体層を成長させる工程と、を含み、該工程(b)および該工程(d)において該真空チャンバにアンモニアガスを供給する工程を更に含む、方法。
IPC (4)：
H01L 21/203
, C30B 29/38
, H01L 33/00
, H01S 5/323
H01L 21/203 M
, C30B 29/38 Z
, H01L 33/00 C
, H01S 5/323
Cited by examiner (3)
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分子線エピタキシ法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平10-062656
Applicant：シャープ株式会社
-
GaN系化合物半導体薄膜の積層構造および成長方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平6-156807
Applicant：古河電気工業株式会社
-
分子線エピタキシを利用したバッファ層の成長方法
Gazette classification：公表公報
Application number：特願2000-521264
Applicant：シャープ株式会社
Article cited by the Patent：
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