低容量の誘電体層をエッチングするための技術

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人明成国際特許事務所
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000616058
Publication number (International publication number)：2002543613
Application date： May. 04, 2000
Publication date： Dec. 17, 2002
Summary：

【要約】プラズマ処理チャンバ内で低容量の誘電体層をエッチングするための技術を開示する。この技術では、N2と、O2と、炭化水素とを含んだエッチング化学剤が使用される。このエッチング化学剤から生成されるプラズマで低容量の誘電体層をエッチングすることによって、高いエッチング速度を得ることができ、それと同時に、プロフィル制御を維持し、低容量の層にエッチングされる開口部(例えばビア/トレンチ)の微小寸法を保つことが可能になる。

Claim (excerpt)：

プラズマ処理チャンバ内において、低容量の誘電体層をエッチングするための方法であって、前記低容量の誘電体層は基板上においてハードマスク層の下に配置され、前記方法は、 N2と、O2と、炭化水素と、を含んだエッチング化学剤を、前記プラズマ処理チャンバ内に流し込む工程と、前記エッチング化学剤からプラズマを生成する工程と、前記プラズマを使用し、前記ハードマスク層の開口部を通して前記低容量の誘電体層をエッチングする工程と、を備える方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 , H01L 21/28 , H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/28 L , H01L 21/302 F , H01L 21/90 A

F-Term (32)：

4M104DD08 , 4M104DD20 , 4M104EE18 , 4M104HH14 , 5F004AA05 , 5F004BA04 , 5F004BA20 , 5F004BB11 , 5F004BB18 , 5F004BB22 , 5F004BB25 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA02 , 5F004DA03 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DB23 , 5F004EA06 , 5F004EA07 , 5F004EB03 , 5F033QQ09 , 5F033QQ15 , 5F033QQ24 , 5F033QQ25 , 5F033QQ28 , 5F033QQ37 , 5F033RR21 , 5F033WW04 , 5F033WW05 , 5F033WW06 , 5F033XX24

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-229403 Applicant：ソニー株式会社
特開昭57-186335
特開昭64-025419

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Cited by examiner (6)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-229403 Applicant：ソニー株式会社
特開昭57-186335
特開昭64-025419

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