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J-GLOBAL ID：200903014213372064

有機化合物含有絶縁層の異方性エッチング

Inventor：
セルジェ・ファンヘーレメールスフ

About セルジェ・ファンヘーレメールスフ

, 
ミハイル・ロディオノヴィッチ・バクラノフ

About ミハイル・ロディオノヴィッチ・バクラノフ


Applicant, Patent owner：
アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ

About アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ


Agent (1)： 青山 葆 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000517440
Publication number (International publication number)：2001521282
Application date： Oct. 22, 1998
Publication date： Nov. 06, 2001
Summary：
【要約】有機化合物含有絶縁層の異方性プラズマエッチングの方法を開示する。この方法によると、基板上に形成された有機化合物含有絶縁層に、少なくとも1つの穴が形成される。これらの穴は、プラズマエッチングの異方性が大きくなるように構成された混合気体を流入した反応チャンバー内において、前記の絶縁層をプラズマエッチングすることにより、エッチング残留物を実質的に堆積させることなく、形成される。このような混合気体の例はフッ素含有気体と不活性気体から成る混合気体、酸素含有気体と不活性気体から成る混合気体、または、HBrと添加物から成る混合気体である。有機化合物含有絶縁層のプラズマエッチングは、パターニングされた2重層をエッチングマスクとして用いることにより行われ、前記の2重層は、前記の有機化合物含有絶縁層上に形成されたハードマスク層と、ハードマスク層上に形成されたレジスト層から構成される。
Claim (excerpt)：
フッ素含有気体と不活性気体で構成される混合気体を流入した反応チャンバー内で、有機化合物含有絶縁層をプラズマエッチングすることにより、穴を形成するステップと、 この穴を形成する間、エッチング残留物が実質的に堆積されないように、かつ、前記のプラズマエッチングをする間に、この穴の側壁がフッ素化され、結果として、前記のプラズマエッチングの異方性を促進するように、前記のプラズマエッチングを制御するステップと、 から成る、有機化合物含有絶縁層に少なくとも一つの穴を形成する方法。
IPC (2)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/28
FI (2)：
H01L 21/28 F ,  H01L 21/302 H
F-Term (64)：
4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA05 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104CC01 ,  4M104DD08 ,  4M104DD12 ,  4M104DD15 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD18 ,  4M104DD20 ,  4M104DD22 ,  4M104EE08 ,  4M104EE12 ,  4M104EE18 ,  4M104FF13 ,  4M104FF16 ,  4M104FF22 ,  4M104HH00 ,  5F004AA12 ,  5F004BA04 ,  5F004BB25 ,  5F004BB26 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA06 ,  5F004DA07 ,  5F004DA08 ,  5F004DA09 ,  5F004DA10 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA19 ,  5F004DA20 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB23 ,  5F004DB25 ,  5F004EA03 ,  5F004EA06 ,  5F004EA07 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (9)
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Cited by examiner (10)
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