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J-GLOBAL ID：200903038576506549

III族窒化物単結晶インゴット、III族窒化物単結晶基板、III族窒化物単結晶インゴットの製造方法、及びIII族窒化物単結晶基板の製造方法

Inventor：
岡久 拓司

About 岡久 拓司

, 
中畑 成二

About 中畑 成二

, 
上村 智喜

About 上村 智喜


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (4)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  黒木 義樹 ,  近藤 伊知良
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008016677
Publication number (International publication number)：2009173507
Application date： Jan. 28, 2008
Publication date： Aug. 06, 2009
Summary：
【課題】長尺成長時のクラック発生率が低減されたIII族窒化物単結晶インゴットとこのインゴットを用いて製造したIII族窒化物単結晶基板、III族窒化物単結晶インゴットの製造方法、及びIII族窒化物単結晶基板の製造方法を提供する。【解決手段】厚さ方向に垂直な断面が円形であるか、または側面が{10-10}面からなり、厚さ方向に垂直な断面が六角形である主面が(0001)面からなるGaN結晶下地基板10の主面及び側面の気相エッチングを行い、側面から少なくとも1μm以上の厚さの部分を除去したあと、エッチングが行われた下地基板10A上にGaN単結晶11をエピタキシャル成長させる。前記のエッチングにより下地基板の角や側面の加工変質層が除去されるので、GaN単結晶インゴットの周囲にポリ結晶や異面方位結晶が析出するのを抑制する。【選択図】図4
Claim (excerpt)：
下地基板の側面をエッチングする工程と、 側面に結晶面を有する六方晶系のIII族窒化物単結晶を前記下地基板上にエピタキシャル成長させる工程と、 を有することを特徴とするIII族窒化物単結晶インゴットの製造方法。
IPC (3)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/18 ,  C23C 16/34
FI (3)：
C30B29/38 D ,  C30B25/18 ,  C23C16/34
F-Term (22)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EB06 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA12 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK06 ,  4G077TK11 ,  4K030AA03 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BA55 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA17
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (4)
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