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J-GLOBAL ID：200903022603364243

窒化物半導体基板及びその製造方法

Inventor：
吉田 丈洋

About 吉田 丈洋

, 
大島 祐一

About 大島 祐一


Applicant, Patent owner：
日立電線株式会社

About 日立電線株式会社


Agent (1)： 油井 透
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005116372
Publication number (International publication number)：2006290697
Application date： Apr. 14, 2005
Publication date： Oct. 26, 2006
Summary：
【課題】 窒化物半導体基板に簡便かつ高精度にオリフラを加工する技術、及びインデックスフラットなしに表裏を判別する機能をオリフラに付与する技術を提供することにある。【解決手段】 窒化物半導体の結晶成長中に晶癖によって基板外周部にファセット7を形成し、このファセット面と主面との交線をオリエンテーションフラット18とする。又は、窒化物半導体の結晶成長中に晶癖によって基板外周部にファセット7が形成された自立基板16を作製し、さらにその上に気相成長を行うことにより側面にファセット面を持つインゴットを形成し、次に、そのファセット面を残したままインゴットを所定の外形に研削した後スライスして、ファセット面と主面との交線をオリエンテーションフラットとしてもつ窒化物半導体基板とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
結晶成長中に晶癖によって基板外周部に形成されたファセット面と主面との交線をオリエンテーションフラットとしてもつことを特徴とする窒化物半導体基板。
IPC (2)：
C30B 29/38 ,  C30B 33/00
FI (2)：
C30B29/38 D ,  C30B33/00
F-Term (5)：
4G077BE15 ,  4G077FG13 ,  4G077FG14 ,  4G077FG16 ,  4G077HA02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (8)
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