トンネルバリア層の形成方法、ならびにTMRセンサおよびその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：三反崎泰司 , 藤島洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006309492
Publication number (International publication number)：2007142424
Application date： Nov. 15, 2006
Publication date： Jun. 07, 2007
Summary：

【課題】膜厚と酸化状態の均一性が改善されたトンネルバリア層の形成方法、ならびにそのようなトンネルバリア層を備えたTMRセンサおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 TMRセンサのトンネルバリア層28を、下部Mg層25/MgO層26/上部Mg層27という3層積層構造にする。MgO層26は、下部Mg層25の表面を自然酸化させて形成する。このため、膜厚と酸化状態の均一性が改善される。また、上部Mg層27を追加したことで、隣接するフリー層29の酸化を防止できる。AlOX からなるトンネルバリア層を備えた従来のTMRセンサと比べて、低いRA値であっても高いMR比が得られる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

TMRセンサにおけるトンネルバリア層を形成する方法であって、強磁性層の上に第1のマグネシウム層を形成するステップと、前記第1のマグネシウム層を自然酸化させて、その上に酸化マグネシウム層(MgO)を形成するステップと、前記酸化マグネシウム層の上に第2のマグネシウム層を形成するステップとを含むことを特徴とするトンネルバリア層の形成方法。

IPC (7)：

H01L 43/12 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 43/08 , G11B 5/39 , G01R 33/09 , H01F 41/18

FI (6)：

H01L43/12 , H01L27/10 447 , H01L43/08 Z , G11B5/39 , G01R33/06 R , H01F41/18

F-Term (39)：

2G017AD55 , 2G017AD65 , 4M119AA19 , 4M119BB01 , 4M119DD03 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119JJ02 , 5D034BA03 , 5D034BA15 , 5D034DA07 , 5E049AC05 , 5E049BA12 , 5E049GC01 , 5F092AA01 , 5F092AA11 , 5F092AB03 , 5F092AB06 , 5F092AC12 , 5F092BB03 , 5F092BB10 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB31 , 5F092BB36 , 5F092BB42 , 5F092BB53 , 5F092BB55 , 5F092BC03 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC13 , 5F092BC14 , 5F092BC17 , 5F092BC18 , 5F092BC22 , 5F092CA14 , 5F092CA23

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (16)

米国特許6, 841, 395
米国特許6, 828, 260
米国特許6, 756, 128

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Cited by examiner (8)

磁気抵抗効果素子及びその製造方法、磁気ヘッド並びに磁気再生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-316799 Applicant：株式会社東芝
強磁性トンネル接合素子と磁気ヘッドと磁気メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-238726 Applicant：日本電気株式会社
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-230367 Applicant：ソニー株式会社

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