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J-GLOBAL ID：200903008123103340
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (2)：
角田 芳末
, 磯山 弘信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002230367
Publication number (International publication number)：2004071897
Application date： Aug. 07, 2002
Publication date： Mar. 04, 2004
Summary：
【課題】良好な磁気特性を有する磁気抵抗効果素子、及びこの磁気抵抗効果素子を備えて優れた読み出し特性及び書き込み特性を有する磁気メモリ装置を提供する。【解決手段】対の強磁性層(磁化固定層5と磁化自由層7)が中間層6を介して対向され、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成であり、対の強磁性層5,7のうち、中間層6の下に結晶質強磁性層から成る磁化固定層5、中間層6の上に非晶質強磁性層から成る磁化自由層7が設けられている磁気抵抗効果素子1及びこの磁気抵抗効果素子1と磁気抵抗効果素子1を厚み方向に挟むビット線及びワード線とを備えた磁気メモリ装置を構成する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子において、
上記対の強磁性層のうち、上記中間層の下に結晶質強磁性層から成る磁化固定層、上記中間層の上に非晶質強磁性層から成る磁化自由層が設けられている
ことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L43/08 Z
, H01L27/10 447
5F083FZ10
, 5F083GA15
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083MA06
, 5F083MA19
Cited by examiner (10)
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