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J-GLOBAL ID：200903038803895280

触媒支援型化学加工方法

Inventor： 久保田 章亀 ,  山内 和人 ,  八木 圭太
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 熊本大学 ,  国立大学法人大阪大学 ,  株式会社荏原製作所
Agent (2)： 柳野 隆生 ,  森岡 則夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006110200
Publication number (International publication number)：2007283410
Application date： Apr. 12, 2006
Publication date： Nov. 01, 2007
Summary：

【課題】難加工物、特に近年電子デバイスの材料として重要性が高まっているSiCやGaN等を、加工効率が高く且つ数10μm以上の空間波長領域にわたって精度が高く加工することが可能な新触媒支援型化学加工方法を提案する。【解決手段】酸化剤の溶液中に被加工物を配し,遷移金属からなる触媒を被加工物の被加工面に接触、もしくは極近接させ、触媒表面上で生成した強力な酸化力を持つ活性種と被加工物の表面原子との化学反応で生成した化合物を除去、あるいは溶出させることによって被加工物を加工する。酸化剤がH2O2、触媒がFe、被加工物がSiC又はGaNであり、フェントン反応を利用して加工するのである。【選択図】 図7

Claim (excerpt)：

酸化剤の溶液中に被加工物を配し,遷移金属からなる触媒を被加工物の被加工面に接触、もしくは極近接させ、前記触媒表面上で生成した強力な酸化力を持つ活性種と被加工物の表面原子との化学反応で生成した化合物を除去、あるいは溶出させることによって被加工物を加工することを特徴とする触媒支援型化学加工方法。

IPC (5)：

B24B 1/00 ,  B01J 21/06 ,  B01J 23/26 ,  B01J 23/72 ,  B01J 23/74

FI (5)：

B24B1/00 B ,  B01J21/06 M ,  B01J23/26 M ,  B01J23/72 M ,  B01J23/74 M

F-Term (13)：

3C049AA01 ,  3C049AA09 ,  3C049CA01 ,  4G169AA02 ,  4G169BC31A ,  4G169BC31B ,  4G169BC50A ,  4G169BC50B ,  4G169BC58A ,  4G169BC58B ,  4G169BC65A ,  4G169BC65B ,  4G169CD10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

• 特公平2-25745号公報
  
• 特公平7-16870号公報
  
• 特公平6-44989号公報
  
• 高速剪断流による加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-347596   Applicant：科学技術振興事業団
• 特許第2962583号公報
  
• 特許第3069271号公報
  
• 特許第3734722号公報
  

Cited by examiner (3)

• 化学的機械的研磨処理システム及び半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-099038   Applicant：株式会社東芝
• 光触媒を用いた微細加工方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-138860   Applicant：住友重機械工業株式会社
• 有機汚染物質の分解方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-265024   Applicant：オルガノ株式会社