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J-GLOBAL ID：200903038823459850

マイクロケミカルデバイス及びマイクロケミカルデバイスの製造方法

Inventor：
佐伯 博司

About 佐伯 博司

, 
山下 資浩

About 山下 資浩


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (3)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004320226
Publication number (International publication number)：2006133003
Application date： Nov. 04, 2004
Publication date： May. 25, 2006
Summary：
【課題】マイクロチャネル内の試薬の活性を低下させることなく張り合わせることを可能としたマイクロケミカルデバイスの接合方法を提供する。【解決手段】基材1もしくは基材2のどちらか一方のマイクロチャンネルパターン4内に少なくとも1種類以上の試薬5を担持させてあり、カチオン重合系樹脂を主成分とするエネルギー線遅延硬化型接着剤3を、試薬5を担持していない方の基材のキャピラリー部を除く部分に塗布し、エネルギー線遅延硬化型接着剤3にエネルギー線を照射し、エネルギー線遅延硬化型接着剤3を塗布していない基材1もしくは基材2と、エネルギー線遅延硬化型接着剤3を塗布した基材1もしくは基材2とをエネルギー線遅延硬化型接着剤3の硬化開始時間に対応して重ね合わせて接合し接合後基材1と基材2を加圧して接着層内の気泡を除去する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基材A、基材Bのどちらか一方もしくは両方にマイクロチャネルパターンが形成されており、前記基材Aと前記基材Bを張り合わせることで、前記基材Aと前記基材Bの間にキャピラリー状の空間が形成されるマイクロケミカルデバイスの製造方法であって、 前記基材A、前記基材Bのどちらか一方にカチオン重合系樹脂を主成分とするエネルギー線遅延硬化型接着剤を前記キャピラリー部を除く部分に塗布し、前記エネルギー線遅延硬化型接着剤にエネルギー線を照射する第1工程と、 前記エネルギー線遅延硬化型接着剤を塗布していない前記基材Aもしくは前記基材Bと、前記エネルギー線遅延硬化型接着剤を塗布した前記基材Aもしくは前記基材Bとを前記エネルギー線遅延硬化型接着剤の硬化開始時間に対応して重ね合わせて接合する第2工程と、接合後前記基材Aと前記基材Bを加圧して前記接着層内の気泡を除去する第3工程と、 を有することを特徴とするマイクロケミカルデバイスの製造方法。
IPC (2)：
G01N 35/08 ,  G01N 37/00
FI (2)：
G01N35/08 A ,  G01N37/00 101
F-Term (8)：
2G058DA01 ,  2G058DA07 ,  2G058DA09 ,  2G058EA14 ,  2G058EB11 ,  2G058EB19 ,  2G058GA06 ,  2G058HA00
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (11)
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