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J-GLOBAL ID：200903038893109938

基板製造方法及び該方法によって得られた基板

Inventor：
オーベルトン-エルブ、アンドレ

About オーベルトン-エルブ、アンドレ


Applicant, Patent owner：
エス オー イ テク シリコン オン インシュレータ テクノロジース

About エス オー イ テク シリコン オン インシュレータ テクノロジース


Agent (2)： 佐藤 正年 ,  佐藤 年哉
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002511385
Publication number (International publication number)：2004503942
Application date： Jun. 15, 2001
Publication date： Feb. 05, 2004
Summary：
本発明は、特に光学、電子工学又は光電子工学用の基板を製造する際に第1の材料から成る活性要素(10、16)を第2の材料から成る支持体(2)の表面に接合する操作を行う基板製造方法に関する。本発明の方法は、第2の材料から成る支持体(2)の表面上における第1の材料から成る要素の接合対象部位、又は第1の材料から成る活性要素の表面上における支持体(2)への接合対象部位に非晶質材料(6)を蒸着する工程を更に備え、第2の材料が第1の材料よりも希少ではないことを特徴とする。本発明は更に、特に光学、電子工学又は光電子工学用の基板を製造する際に第1の材料から成る活性要素(10)を第2の材料から成る支持体(2)の表面に接合する操作を行う基板製造方法にも関する。この方法は、活性要素(10)又は支持体(2)が少なくともその表面上の接合対象部位に多結晶材料を含み、接合に先立ち、この多結晶材料を含む表面上に非晶質材料(6)の層を形成することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
第1の材料から成る活性要素(10、16)を第2の材料を含む支持体(2)の表面に接合する工程を備えた特に光学、電子工学或いは光電子工学用の基板の製造方法において、 第2の材料から成る支持体(2)の表面上における第1の材料から成る要素の接合対象部位、又は第1の材料から成る活性要素の表面上における支持体(2)への接合対象部位に、非晶質材料(6)を形成する工程を更に備えたことと、 第2の材料が第1の材料よりも希少ではないこと、 を特徴とする基板製造方法。
IPC (3)：
H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H01L31/04
FI (3)：
H01L21/02 B ,  H01L27/12 B ,  H01L31/04 H
F-Term (13)：
4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA35 ,  4K029BB10 ,  4K029EA01 ,  5F051GA03 ,  5F051GA04 ,  5F051GA06 ,  5F051GA12 ,  5F051GA13 ,  5F051GA15 ,  5F051GA16 ,  5F051GA20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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