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J-GLOBAL ID:200903039120485546

単結晶グラファイト膜の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 藤谷 修
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006229947
Publication number (International publication number):2008050228
Application date: Aug. 26, 2006
Publication date: Mar. 06, 2008
Summary:
【課題】簡易な方法により十〜数十nmの厚さのグラフェン積層体を得る。【解決手段】図1の単結晶グラファイト膜生成装置100は石英管から成るCVD反応容器1を水平に固定し、キャリアガスとしてアルゴン(Ar)を左側口1Lから導入し、右側口1Rから排出するものである。CVD反応容器1の中央よりも左側に第1の領域10を設け、右側に第2の領域20を設けた。各々独立した加熱装置15及び25により所定温度に保つ。第1の領域10にはショウノウ(camphor)を0.1〜1グラム、第2の領域20には、一辺2cmの正方形の3枚のニッケル(Ni)板21を配置させた。第1の領域を100°Cまで加熱してショウノウ(camphor)を蒸気化させて、700〜900°Cに保った第2の領域のニッケル(Ni)板21上にCVDによりグラファイト膜を形成した。【選択図】図1
Claim (excerpt):
炭素源の熱分解により、単結晶グラファイト膜を製造する方法であって、 第1の領域に配置された沸点又は昇華点が100°C以上の有機化合物を炭素源とし、 当該第1の領域を加熱して前記有機化合物を蒸気化し、不活性ガスをキャリアガスとして加熱された第2の領域に前記有機化合物蒸気を導き、 当該加熱された第2の領域において、前記有機化合物を基板上で熱分解することでグラファイト膜を得るものであり、 前記有機化合物は、分子中に芳香環又は共役π結合を有さず、歪を有する炭素環を有することを特徴とする単結晶グラファイト膜の製造方法。
IPC (2):
C01B 31/04 ,  C23C 16/26
FI (2):
C01B31/04 101Z ,  C23C16/26
F-Term (31):
4G146AA02 ,  4G146AB07 ,  4G146AC01A ,  4G146AC01B ,  4G146AC11B ,  4G146AC16B ,  4G146AC19B ,  4G146AD03 ,  4G146AD28 ,  4G146BA11 ,  4G146BC09 ,  4G146BC23 ,  4G146BC33B ,  4G146BC43 ,  4G146BC44 ,  4G146BC46 ,  4G146DA12 ,  4G146DA26 ,  4G146DA29 ,  4G146DA30 ,  4G146DA37 ,  4G146DA43 ,  4K030AA09 ,  4K030AA16 ,  4K030BA27 ,  4K030BB02 ,  4K030CA02 ,  4K030CA17 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030LA11
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (8)
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