Pat
J-GLOBAL ID：200903087206655880
成膜装置、成膜方法およびフィールドエミッションランプに用いるワイヤ状陰極
Inventor：
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
岡田 和秀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005289768
Publication number (International publication number)：2007100151
Application date： Oct. 03, 2005
Publication date： Apr. 19, 2007
Summary：
【課題】基体表面全体にプラズマ密度が均一となるような断面形状を有するプラズマを発生することができる成膜装置を提供すること。【解決手段】本成膜装置は、真空チャンバ2と、この真空チャンバ2の内部に平行に対向配置された一対の平板電極8,10の電極面を互いに同寸法同形状の平坦でかつ平面視矩形をなす形状としてプラズマ16が一方の平板電極の電極面にほぼ平行となる断面形状をなして発生することを可能とした装置である。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
真空チャンバと、この真空チャンバの内部で平行に対向配置された一対の平板電極とを備え、両平板電極間に直流電源を印加しかつ真空チャンバ内に炭化水素と水素とを含む反応ガスを導入して一方の平板電極上に配置された基板の上方空間にプラズマを発生させて該基板の表面に炭素膜を成膜する成膜装置において、上記両平板電極の電極面を互いに同寸法同形状の平坦でかつ平面視矩形をなす形状として、上記プラズマが、一方の平板電極の電極面にほぼ平行となる断面形状をなして発生することが可能になっている、ことを特徴とする成膜装置。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (13)：
4K030AA09
, 4K030AA17
, 4K030BA27
, 4K030BB01
, 4K030CA13
, 4K030FA03
, 4K030JA01
, 4K030JA09
, 4K030JA17
, 4K030KA15
, 4K030KA30
, 5C039MM06
, 5C039MM09
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (2)
Article cited by the Patent：
Return to Previous Page
