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J-GLOBAL ID:200903039153529930

ArFエキシマレーザ及びスキャン式露光機

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999167999
Publication number (International publication number):2000357838
Application date: Jun. 15, 1999
Publication date: Dec. 26, 2000
Summary:
【要約】【課題】 装置の大型化を伴わずにパルス周波数を高くすることが可能なArFエキシマレーザ、及びこのような高パルス周波数ArFエキシマレーザを光源とした露光機を得る。【解決手段】 ウェハ上の半導体チップを複数の照射領域46に分割し、この照射領域46ごとにレーザ光11を複数パルス照射し、1つの照射領域46の露光が終了すると次の照射領域46を露光するようにして半導体チップ全体を露光するスキャン式露光機において、レーザ光11を発振する光源としてレーザガス中のバッファガスがHeを主成分とし、好ましくはこのレーザガス中にXeが含まれていることを特徴とするArFエキシマレーザ1を使用するスキャン式露光機。
Claim (excerpt):
放電電極(5,5)間に放電を起こしてレーザガスを励起し、狭帯域化されたレーザ光(11)を発振するArFエキシマレーザにおいて、レーザガス中のバッファガスがHeを主成分とすることを特徴とするArFエキシマレーザ。
IPC (4):
H01S 3/225 ,  G03F 7/20 502 ,  G03F 7/23 ,  H01L 21/027
FI (5):
H01S 3/223 E ,  G03F 7/20 502 ,  G03F 7/23 H ,  H01L 21/30 515 B ,  H01L 21/30 518
F-Term (12):
2H097CA13 ,  2H097GB01 ,  2H097LA10 ,  5F046AA05 ,  5F046AA11 ,  5F046BA04 ,  5F046CA04 ,  5F046CC04 ,  5F071AA06 ,  5F071BB05 ,  5F071GG05 ,  5F071JJ05
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (6)
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