半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：篠部正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002017955
Publication number (International publication number)：2003218306
Application date： Jan. 28, 2002
Publication date： Jul. 31, 2003
Summary：

【要約】【課題】低コストで、主電極と制御電極との間、主電極、制御電極と接続する銅配線と耐圧構造との間の電気的絶縁性が良好な半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】IGBTチップ1上に、エミッタ電極4上とゲート電極5上に位置する箇所に開口部7、8を設けた絶縁シート6を貼着し、この絶縁シートの開口部7、8に位置するエミッタ電極4上、ゲート電極5上に、固着材である半田9、10で、配線基板13の表面に形成された銅配線11、12とエミッタ電極4、ゲート電極5と固着する。絶縁シート6により半田9、10の横方向の広がりが防止され、エミッタ電極4とゲート電極5の間の絶縁は確保され、また、銅配線11、12とガードリング3の間の絶縁は確保される。

Claim (excerpt)：

半導体チップの同一平面上に形成した主電極と制御電極と、前記半導体チップに形成した耐圧構造と、前記主電極と接続する第1外部導出導体と、前記制御電極と接続する第2外部導出導体とを具備するモジュール構造の半導体装置において、半導体チップ上全面に形成され、主電極と制御電極がある箇所を開口した絶縁膜と、該絶縁膜の開口部で、固着材を介して、前記主電極と固着し、前記絶縁膜上に形成される第1外部導出導体と、前記制御電極と固着し、前記絶縁膜上に形成される第2外部導出導体とを有することを特徴とする半導体装置。

FI (2)：

H01L 23/48 Q , H01L 23/48 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平2-281737
電力用半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-017753 Applicant：富士電機株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-333119 Applicant：株式会社デンソー

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