半導体装置の実装構造及び実装方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊藤洋二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999155745
Publication number (International publication number)：2000349207
Application date： Jun. 02, 1999
Publication date： Dec. 15, 2000
Summary：

【要約】【課題】大電力用半導体デバイスの電極との電気的な接合部位における冷熱耐久性を向上させる。【解決手段】表面側にエミッタ電極2が形成されたSiチップ1の各エミッタ電極2の上にバンプ部6を配置し、バンプ部6を介して接合部材4に形成する。この接合部材4を、Siチップ1と熱膨張係数が近似している材質であるMoで構成する。そして、この接合部材4を介してリード3が引き出されるようにする。さらに、Siチップ1の裏面側に放熱板8を配置する。この放熱板8も、Siチップ1と熱膨張係数が近似している材質であるAlNで構成する。このように、Siチップ1を接合部材4と放熱板8とで挟み込んだ構成にすることにより、熱膨張係数差に基づく熱応力の発生を抑制することができる。このため、Siチップ1との電気的な接合部における冷熱耐久性を向上させることができる。

Claim (excerpt)：

一面側に電極(2)が形成されてなる半導体チップ(1)と、前記電極上に配置されたバンプ部(6)と、前記半導体チップのうち前記電極が形成されている面と対向する面を有してなり、前記バンプ部と接合されて、該バンプ部を介して前記電極と電気的に接合された接合部材(4)と、前記接合部材に接続されたリード(3)と、前記半導体チップのうち、前記電極が設けられた面の反対側に配置された第1の放熱板(8)とを有して構成され、前記接合部材と前記第1の放熱板とは、前記半導体チップの材料と熱膨張係数が近似している材料で構成されていると共に、それぞれが略同等の厚みで構成されていることを特徴とする半導体装置の実装構造。

IPC (3)：

H01L 23/34 , H01L 23/36 , H01L 23/48

FI (3)：

H01L 23/34 A , H01L 23/48 G , H01L 23/36 D

F-Term (4)：

5F036AA01 , 5F036BB01 , 5F036BC05 , 5F036BD01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

錫含有鉛フリーはんだ合金及びそのクリームはんだ並びにその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-192266 Applicant：松下電器産業株式会社
中継基板およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-312773 Applicant：日本特殊陶業株式会社
圧接型半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-015621 Applicant：株式会社明電舎

Show all

Return to Previous Page