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J-GLOBAL ID：200903039486016891

磁気抵抗効果素子とその製造方法、および磁気メモリ装置とその製造方法

Inventor：
屋上 公二郎

About 屋上 公二郎


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003320923
Publication number (International publication number)：2005093488
Application date： Sep. 12, 2003
Publication date： Apr. 07, 2005
Summary：
【課題】スピン注入磁化反転における反転電流密度を10MA/cm2以下に低減することにより、TMR膜を用いたメモリ素子を絶縁破壊することなく、素子選択用FETをブレークダウンすることなく、ランダムアクセス磁気メモリにおけるスピン注入磁化反転を可能にする。【解決手段】磁気抵抗効果素子の記憶層は、飽和磁化の値が400kA/m〜800kA/mの磁性膜からなることを特徴とする磁気抵抗効果素子であり、例えば、記憶層は、コバルト、鉄、ニッケルのうち1種以上の磁性元素を含む磁性膜からなり、この磁性膜は非磁性元素も含み、非磁性元素は5at%以上50at%以下の割合で含まれるものであり、上記記憶層を備えたメモリセルは200nmφのオーダー以下の大きさのものである。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
磁気抵抗効果素子の記憶層は、飽和磁化の値が400kA/m〜800kA/mの磁性膜からなる ことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (6)：
H01L43/08 ,  G11C11/15 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L27/105 ,  H01L43/12
FI (7)：
H01L43/08 M ,  H01L43/08 Z ,  G11C11/15 112 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L43/12 ,  H01L27/10 447
F-Term (12)：
5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AC05 ,  5E049DB12 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083JA02 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR04
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (6)
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