低K誘電層を処理して拡散を減少させる方法および装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川芳樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001215713
Publication number (International publication number)：2002176100
Application date： Jul. 16, 2001
Publication date： Jun. 21, 2002
Summary：

【要約】【課題】酸素の拡散に抵抗し、低酸素含有量を有する低誘電率の層を堆積する方法および装置を提供する。【解決手段】層は、低誘電率の層を不活性ガスのプラズマに暴露して低誘電率の層を高密度化するか、低誘電率の層を硝化プラズマに暴露して層234上にパッシベーション窒化物表面236を形成するか、或いは低誘電率層234上に薄いパッシベーション層236を堆積してその中の酸素拡散を低減することにより、形成可能である。低誘電率の層はin-situで堆積し処理することができる。

Claim (excerpt)：

基板の処理方法であって、前記方法は:処理チャンバ内で基板上に低誘電率の層を堆積するステップと;前記処理チャンバ内に処理ガスを導入するステップと;前記処理チャンバ内で前記処理ガスのプラズマを発生させるステップと;前記低誘電率の層を前記処理ガスのプラズマに暴露するステップと、を含む、基板処理方法。

IPC (2)：

H01L 21/768 , H01L 21/314

FI (3)：

H01L 21/314 M , H01L 21/314 Z , H01L 21/90 K

F-Term (29)：

5F033HH11 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033MM02 , 5F033MM05 , 5F033MM13 , 5F033QQ00 , 5F033QQ04 , 5F033QQ25 , 5F033QQ74 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033SS15 , 5F033XX12 , 5F033XX20 , 5F033XX24 , 5F033XX28 , 5F058BA05 , 5F058BA10 , 5F058BA20 , 5F058BC20 , 5F058BD01 , 5F058BD10 , 5F058BD15 , 5F058BF07 , 5F058BH16 , 5F058BJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

ハロゲンをドープした酸化珪素膜の膜安定性を改良する方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-284992 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-232671 Applicant：株式会社東芝
拡散障壁層およびこれを含む半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-033679 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

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